2SC1004

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC1004 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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2SC1004 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1004 DESCRIPTION ·W ith TO-3 package ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·For use in horizontal deflection output stages for color TV receives. PINNING(see fig.2) PI N 1 2 3 Ba s e Em i t t e r Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=? ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25? Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 1100 700 5 0 .5 50 150 -55~150 UNIT V V V A W ? ? SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25? unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS M IN 2SC1004 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.1A; IB=0 700 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown votage IE=1mA; IC=0 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=150m A;IB=30mA 5 .0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=150m A;IB=30mA 1 .5 V ICBO Collector cut-off current VCB=800V;IE=0 10 µA IEBO Emitter cut-off current VEB=4V;IC=0 10 µA hF E DC current gain IC=150m A ; VCE=15V 30 160 fT Transition frequency IC=150m A ; VCE=15V 2 .0 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC1004 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SC1004

1. 物料型号：2SC1004，这是一个硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 封装类型为TO-3。 - 具有高击穿电压。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：发射极（Emitter）。 - 3号引脚：集电极（Collector）。

4. 参数特性： - 集-基电压（VCBO）：1100V，开发射极。 - 集-发电压（VCEO）：700V，开基极。 - 发-基电压（VEBO）：5V，开集电极。 - 集电极电流（Ic）：0.5A，芯片功耗。 - 总功率耗散（Pr）：50W，结温25°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。

5. 功能详解： - 维持电压（VCEO(SUS)）：700V，集-发电压，集电极电流0.1A，基极电流0A。 - 发射极基极击穿电压（V(BR)EBO）：5V，发射极电流1mA，集电极电流0。 - 集电极发射极饱和电压（VCEsat）：5.0V，集电极电流150mA，基极电流30mA。 - 基极发射极饱和电压（VBEsat）：1.5V，集电极电流150mA，基极电流30mA。 - 集电极截止电流（ICBO）：10nA，集-基电压800V，发射极电流0。 - 发射极截止电流（IEBO）：10nA，发射极电压4V，集电极电流0。 - 直流电流增益（hFE）：30至160，集电极电流150mA，集-发电压15V。 - 转换频率（fT）：2.0MHz，集电极电流150mA，集-发电压15V。

6. 应用信息：适用于彩色电视机接收器的水平偏转输出阶段。

7. 封装信息：TO-3封装，具体尺寸见图2（fig_63013）。

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