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2SC1173

2SC1173

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC1173 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC1173 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1173 DESCRIPTION ·W ith TO-220 package ·Complement to type 2SA473 ·Collector current :IC=3A ·Collector dissipation:PC=10W @TC=25? APPLICATIONS ·Low frequency power amplifier ·Power regulator PINNING PI N 1 2 3 Ba s e Collector;connected to mounting base Em i t t e r DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25? ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25? CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 30 30 5 3 10 150 -55~150 UNIT V V V A W ? ? SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25? unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=10mA ;IB=0 IC=0.5mA ;IE=0 IE=1mA ;IC=0 IC=2A IB=0.2A IC=0.5A ; VCE=2V VCB=20V;IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.5A ; VCE=2V IC=2.5A ; VCE=2V IE=0; VCB=10V;f=1MHz IC=0.5A ; VCE=2V 70 25 M IN 30 30 5 2SC1173 TYP. MAX UNIT V V V 0 .8 1 .0 1 .0 1 .0 240 V V µA µA 35 100 pF MHz u hFE-1 classifications O 70-140 Y 120-240 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC1173 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2SC1173
物料型号: - 型号为2SC1173。

器件简介: - 该晶体管采用TO-220封装。 - 与2SA473型号互补。 - 集电极电流为3A。 - 集电极耗散功率为10W,工作温度为25°C。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 绝对最大额定值:集基电压VCBO为30V,集电极-发射极电压VCEO为30V,发射极-基极电压VEBO为5V,集电极电流Ic为3A,集电极功率耗散Pc为10W,结温TJ为150°C,存储温度Tstg范围为-55°C至150°C。 - 特性参数:包括击穿电压、饱和电压、开启电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益等。

功能详解: - 该晶体管适用于低频功率放大器和功率调节器。

应用信息: - 适用于低频功率放大和功率调节。

封装信息: - 提供了TO-220C的简化外形图和符号,以及外形尺寸图,未标注的公差为±0.10mm。
2SC1173 价格&库存

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