2SC1444

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC1444 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1444 DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Excellent safe operating area ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For switching and wide-band amplifier applications. PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PD Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 80 60 6 6 1 40 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=30mA ;IB=0 IE=1mA ;IC=0 IC=6A; IB=1A IC=6A ; VCE=4V VCB=80V; IE=0 VEB=6V; IC=0 IC=1A ; VCE=4V IC=3A ; VCE=4V IC=0.5A ; VCE=10V 30 15 MIN 60 5 2SC1444 SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT TYP. MAX UNIT V V 1.5 2.0 0.1 0.1 V V mA mA 10 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC1444 Fig.2 outline dimensions 3

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2SC1444

1. 物料型号：2SC1444，这是一种Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介： - 采用TO-66封装。 - 具有出色的安全工作区。 - 低集电极饱和电压。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：80V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：60V，开路基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：6V。 - 集电极电流（Ic）：6A。 - 基极电流（Is）：1A。 - 总功耗（PD）：40W，Tc=25°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。

5. 功能详解： - 维持电压（VCEO(SUS)）：60V，Ic=30mA；Ib=0。 - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：5V，Ie=1mA；Ic=0。 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：1.5V，Ic=6A；Ib=1A。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：2.0V，Ic=6A；Vce=4V。 - 集电极截止电流（ICBO）：0.1mA，Vcb=80V；Ie=0。 - 发射极截止电流（IEBO）：0.1mA，Veb=6V；Ic=0。 - 直流电流增益（hFE-1）：30，Ic=1A；Vce=4V。 - 直流电流增益（hFE-2）：15，Ic=3A；Vce=4V。 - 转换频率（fT）：10MHz，Ic=0.5A；Vce=10V。

6. 应用信息：适用于开关和宽带放大应用。

7. 封装信息：TO-66封装，具体尺寸见图2。

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