2SC1501

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC1501 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1501 DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High breakdown voltage ·Large power dissipation APPLICATIONS ·For medium power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector Base Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 300 300 5 0.1 0.15 10 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage DC current gain DC current gain Collector cut-off current Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=100µA;IE=0 IC=1mA; IB=0 IE=100µA; IC=0 IC=100mA IB=10m A IC=50mA ; VCE=10V IC=10mA ; VCE=10V IC=50mA ; VCE=10V VCB=300V ; IE=0 IE=0; VCB=30V;f=1MHz IE=20mA ; VCB=30V 30 30 MIN 300 300 5 2SC1501 SYMBOL V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO VCEsat VBE hFE-1 hFE-2 ICBO COB fT TYP. MAX UNIT V V V 5.0 1.2 V V 200 100 8 55 µA pF MHz hFE-2 classifications P 30-60 Q 50-100 R 80-150 S 100-200 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC1501 Fig.2 outline dimensions 3

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2SC1501

1. 物料型号： - 型号为2SC1501，由SavantIC Semiconductor生产，是一种Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介： - 2SC1501具有TO-126封装，高击穿电压和大功率耗散能力，适用于中等功率放大应用。

3. 引脚分配： - 引脚1：Emitter（发射极） - 引脚2：Collector（集电极） - 引脚3：Base（基极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：300V - VCEO（集电极-发射极电压）：300V - VEBO（发射极-基极电压）：5V - IC（集电极电流）：0.1A - ICM（集电极峰值电流）：0.15A - PC（集电极功耗）：10W - Tj（结温）：150°C - Tstg（储存温度）：-55~150°C

5. 功能详解： - 特性参数： - V(BR)CBO（集电极-基极击穿电压）：300V - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：300V - V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：5V - VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：5.0V - VBE（基极-发射极导通电压）：1.2V - hFE-1（直流电流增益，Ic=10mA；VcE=10V）：30 - hFE-2（直流电流增益，Ic=50mA；VcE=10V）：30~200 - ICBO（集电极截止电流）：100nA - COB（输出电容）：8pF - fr（转换频率）：55MHz

6. 应用信息： - 适用于中等功率放大应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-126。

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