2SC1828

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC1828 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1828 DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Continuous collector current-IC=1A ·Power dissipation –PC=40W @TC=25 APPLICATIONS ·For power amplifier applications PINNING (See Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 800 400 6 1 40 150 -55~150 UNIT V V V A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=100mA ; IB=0 IC=1mA ; IE=0 IE=1mA ; IC=0 IC=1A; IB=0.2A IC=1A; IB=0.2A VCB=800V; IE=0 VEB=6V; IC=0 IC=0.2A ; VCE=10V IC=0.1A ; VCE=10V 30 MIN 400 800 6 2SC1828 SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT TYP. MAX UNIT V V V 1.0 1.5 0.1 0.1 200 10 V V mA mA MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC1828 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SC1828

1. 物料型号：2SC1828，这是一个硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 采用TO-66封装。 - 连续集电极电流IC为1A。 - 功率耗散PC为40W，条件为C=25°C。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压VCBO：800V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压VCEO：400V，开路基极。 - 发射极-基极电压VEBO：6V，开路集电极。 - 集电极电流Ic：1A。 - 耗散功率Pr：40W，条件为Tc=25°C。 - 结温TJ：150°C。 - 储存温度Tstg：-55至150°C。

5. 功能详解： - VCEO(SUS)：集电极-发射极维持电压，Ic=100mA;IB=0时为400V。 - V(BR)CBO：集电极-基极击穿电压，Ic=1mA;Ie=0时为800V。 - V(BR)EBO：发射极-基极击穿电压，Ie=1mA;Ic=0时为6V。 - VCEsat：集电极-发射极饱和电压，Ic=1A;IB=0.2A时为1.0V。 - VBEsat：基极-发射极饱和电压，Ic=1A;IB=0.2A时为1.5V。 - ICBO：集电极截止电流，VcB=800V;IE=0时为0.1mA。 - IEBO：发射极截止电流，VEB=6V;Ic=0时为0.1mA。 - hFE：直流电流增益，Ic=0.2A;VcE=10V时为30至200。 - fr：转换频率，Ic=0.1A;VcE=10V时为10MHz。

6. 应用信息：适用于功率放大应用。

7. 封装信息：TO-66封装，具体尺寸如图2所示，可通过链接查看：[Fig.2 Outline dimensions](https://p3-flow-imagex-sign.byteimg.com/ocean-cloud-tos/pdf/218c1186e272007db74d22913a7c4746_2_1200.jpg~tplv-a9rns2rl98-resize-crop:201:227:621:780:420:553.jpeg?rk3s=1567c5c4&x-expires=1767230728&x-signature=XHhS%2F2PFdnyvxI61laK%2BXttlnl0%3D)。

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