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2SC2270

2SC2270

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC2270 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC2270 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2270 DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Low collector saturation voltage ·High collector power dissipation APPLICATIONS ·Strobo flash applications ·Medimum power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IE IEM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-peak Emitter current (DC) Emitter current-peak Ta=25 PC Total power dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 10 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 50 20 8 5 8 -5 -8 1.0 W UNIT V V V A A A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=10mA ;IB=0 IE=1mA ;IC=0 IC=4A; IB=0.1A IC=4A ; VCE=2V VCB=40V; IE=0 VEB=8V; IC=0 IC=0.5A ; VCE=2V IC=4A ; VCE=2V IC=0.5A ; VCE=2V IE=0;f=1MHz ; VCB=10V 140 70 MIN 20 8 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB 2SC2270 TYP. MAX UNIT V V 1.0 1.5 0.1 0.1 450 V V µA µA 100 40 MHz pF hFE-1 Classifications A 140-240 B 200-330 C 300-450 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC2270 Fig.2 Outline dimensions 3
2SC2270
物料型号: - 型号:2SC2270

器件简介: - 2SC2270是一款硅NPN功率晶体管,具有TO-126封装。 - 特点包括低集电极饱和电压和高集电极功耗。

引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:基极(Base)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):50V,开路发射极 - 集电极-发射极电压(VCEO):20V,开路基极 - 发射极-基极电压(VEBO):8V,开路集电极 - 集电极电流(DC)(Ic):5A - 集电极峰值电流(ICM):8A - 发射极电流(DC)(IE):-5A - 发射极峰值电流(IEM):-8A - 总功耗(Pc):1.0W,T=25°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C

功能详解: - 该晶体管的主要特性包括集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、过渡频率和集电极输出电容。

应用信息: - 适用于频闪灯应用和中等功率放大器应用。

封装信息: - 提供了TO-126封装的简化外形图和符号,以及外形尺寸图。
2SC2270 价格&库存

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