2SC2373

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC2373 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2373 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Fast switching time APPLICATIONS ·For use in horizontal deflection output for B/W TV applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 200 100 7 7.5 15 3.0 40 150 -55~150 UNIT V V V A A A W THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-C PARAMETER Thermal resistance from junction to case VALUE 3.125 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=5A; IB=0.5 A IC=5A; IB=0.5 A IC=30mA; IB=0 IE=1.0mA; IC=0 VCB=150V;IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=5A ; VCE=5V IC=0.1A ; VCE=5V;f=3.0MHz 15 5.0 100 7 MIN 2SC2373 SYMBOL VCEsat VBEsat VCEO VEBO ICBO IEBO hFE fT TYP. MAX 1.5 1.5 UNIT V V V V 10 10 70 µA µA MHz ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time VCC=20V;IC=5.0A IB1=-IB2=0.6A PW=20µs 1.0 2.5 1.0 µs µs µs hFE classifications M 15-35 L 25-45 K 35-70 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC2373 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2373 4

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2SC2373

1. 物料型号：2SC2373，这是一个Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介： - 采用TO-220封装。 - 快速开关时间。 - 低集电极饱和电压。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）。 - 3号引脚：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：200V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：100V，开路基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：7V，开路集电极。 - 集电极电流（Ic）：7.5A。 - 集电极峰值电流（ICM）：15A。 - 基极电流（1s）：3.0A。 - 集电极功耗（Pc）：40W，Tc=25°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。

5. 功能详解： - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：在Ic=5A，IB=0.5A时，典型值为1.5V。 - 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：在Ic=5A，IB=0.5A时，典型值为1.5V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：在Ic=30mA，IB=0时，值为100V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：在Ic=1.0mA，Ic=0时，值为7V。 - 集电极截止电流（ICBO）：在VcB=150V，Ie=0时，最大值为10μA。 - 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=5V，Ic=0时，最大值为10μA。 - 直流电流增益（hFE）：在Ic=5A，VcE=5V时，范围为15至70。 - 过渡频率（fr）：在Ic=0.1A，VcE=5V，f=3.0MHz时，值为5.0MHz。 - 导通时间（ton）：在Vcc=20V，Ic=5.0A，IB1=-1A，IB2=0.6A，PW=20μs时，值为1.0s。 - 存储时间（ts）：2.5s。 - 下降时间（t）：1.0s。

6. 应用信息： - 用于黑白电视水平偏转输出。

7. 封装信息： - 提供了TO-220封装的外形尺寸图，未标注的公差为±0.10mm。

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