2SC2440

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC2440 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2440 DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High voltage ,high speed switching ·High reliability APPLICATIONS ·Switching regulators ·Ultrasonic generators ·High frequency inverters ·General purpose power amplifiers PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 450 400 7 5 1.5 40 150 -45~150 UNIT V V V A A W THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-C PARAMETER Thermal resistance junction case MAX 3.0 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain CONDITIONS IC=10mA ; IB=0 IC=100µA ; IE=0 IE=100µA ; IC=0 IC=2A; IB=0.4A IC=2A; IB=0.4A VCB=400V ;IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=2 A ; VCE=5V 15 MIN 400 450 7 2SC2440 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE TYP. MAX UNIT V V V 0.8 1.5 100 100 V V µA µA Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=3A; IB1=0.3A IB2=-0.3A;RL=20A 1.5 4.0 1.3 µs µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC2440 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2440 4

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2SC2440

1. 物料型号：2SC2440，这是一个Silicon NPN Power Transistors（硅NPN功率晶体管）。

2. 器件简介： - 采用TO-220C封装。 - 特点包括高电压、高速开关和高可靠性。 - 应用领域包括开关稳压器、超声波发生器、高频逆变器和通用功率放大器。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector;connected to mounting base）。 - 3号引脚：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：450V，开发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：400V，开基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：7V，开集电极。 - 集电极电流（Ic）：5A。 - 基极电流（Is）：1.5A。 - 集电极功耗（Pc）：40W，Tc=25°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-45~150°C。

5. 功能详解： - 包括击穿电压、饱和电压、截止电流和直流电流增益等特性参数。 - 例如，V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：400V，Ic=10mA; IB=0。 - VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：0.8V。 - hFE（直流电流增益）：Ic=2A; VcE=5V，增益范围15至无穷大。

6. 应用信息： - 适用于开关稳压器、超声波发生器、高频逆变器和通用功率放大器。

7. 封装信息： - 提供了TO-220C封装的外形尺寸图，未标注的公差为±0.10mm。

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