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2SC3042

2SC3042

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC3042 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC3042 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3042 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High breakdown voltage (VCBO 500V) ·Fast switching speed ·Wide ASO Safe Operating Area APPLICATIONS ·400V/12A switching regulator applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Ta=25 PC Collector power dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 100 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 500 400 7 12 25 4 2.5 W UNIT V V V A A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=10mA ;RBE=; IC=1mA ;IE=0 IE=1mA ;IC=0 IC=8A ;IB=1.6A IC=8A ;IB=1.6A VCB=400V ;IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1.6A ; VCE=5V IC=8A ; VCE=5V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IC=1.6A ; VCE=10V 15 8 MIN 400 500 7 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE -2 COB fT 2SC3042 TYP. MAX UNIT V V V 1.0 1.5 10 10 50 V V µA µA 160 20 pF MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=10A; IB1=-IB2=2A RL=20D,VCC=200V 1.0 2.5 1.0 µs µs µs hFE-1 classifications L 15-30 M 20-40 N 30-50 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3042 Fig.2 outline dimensions 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3042 4
2SC3042
1. 物料型号: - 型号为2SC3042,由SavantIC Semiconductor生产。

2. 器件简介: - 该器件是一个硅NPN功率晶体管,具有TO-3PN封装。 - 特点包括高击穿电压(V_CBO ≥ 500V)、快速开关速度和广泛的ASO安全工作区。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极,连接到安装底(Collector; connected to mounting base) - 引脚3:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值包括:V_CBO(集电极-基极电压)500V,V_CEO(集电极-发射极电压)400V,Ic(集电极电流)12A,ICM(集电极峰值电流)25A,IB(基极电流)4A,Pc(集电极功耗)2.5W(T=25°C时)。

5. 功能详解: - 包括击穿电压、饱和电压、截止电流、直流电流增益、输出电容和过渡频率等特性。 - 例如,V(BR)CEO(集电极-发射极击穿电压)在IC=10mA时为400V,VCEsat(集电极-发射极饱和电压)在IC=8A时为1.0V。

6. 应用信息: - 适用于400V/12A的开关稳压器应用。

7. 封装信息: - 提供了TO-3PN封装的简化外形图和符号,以及外形尺寸图。
2SC3042 价格&库存

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