0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
2SC3088

2SC3088

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC3088 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC3088 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3088 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High breakdown voltage (VCBO 800V) ·Fast switching speed ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·500V/4A Switching Regulator Applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Ta=25 PC Collector power dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 60 150 -55~150 PW 5300µs, Duty Cycle510% CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 800 500 7 4 8 1.5 2.5 W UNIT V V V A A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=1mA ;RBE=B IC=1mA ;IE=0 IE=1mA ;IC=0 IC=1.5A; IB=0.3A IC=1.5A; IB=0.3A VCB=500V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.3A ; VCE=5V IC=1.5A ; VCE=5V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IC=0.3A ; VCE=10V 15 8 MIN 500 800 7 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE -2 COB fT 2SC3088 TYP. MAX UNIT V V V 1.0 1.5 10 10 50 V V µA µA 40 18 pF MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=2A ;IB1=-IB2=0.4 A RL=100G,VCC=200V 1.0 3.0 1.0 µs µs µs hFE-1 classifications L 15-30 M 20-40 N 30-50 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3088 Fig.2 outline dimensions 3
2SC3088
1. 物料型号:2SC3088,这是一个Silicon NPN Power Transistors的型号。

2. 器件简介: - 采用TO-3PN封装。 - 具有高击穿电压($V_{CBO} \geq 800V$)。 - 快速开关速度。 - 广泛的安全操作区域。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base)。 - 2号引脚:集电极,连接到安装底(Collector; connected to mounting base)。 - 3号引脚:发射极(Emitter)。

4. 参数特性: - 集电极-基极电压($V_{CBO}$):800V。 - 集电极-发射极电压($V_{CEO}$):500V。 - 发射极-基极电压($V_{EBO}$):7V。 - 集电极电流($I_c$):4A。 - 集电极峰值电流($I_{cP}$):8A(PWs300us, Duty Cycles10%)。 - 基极电流($I_B$):1.5A。 - 集电极功率耗散($P_c$):2.5W($T_a=25℃$)。

5. 功能详解: - 该器件适用于500V/4A开关稳压器应用。 - 具有特定的击穿电压和饱和电压参数,以及截止电流和直流电流增益等特性。

6. 应用信息: - 适用于500V/4A开关稳压器应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3PN,具体尺寸和外形见图2。
2SC3088 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“2SC3088”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货