2SC3169

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC3169 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3169 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·High breakdown voltge APPLICATIONS ·For high speed switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25 PC Collector power dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 25 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 500 400 7 2 4 2 W UNIT V V V A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=0.2A , L=25mH IC=1A ;IB=0.2A IC=1A ;IB=0.2A VCB=500V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.1A ; VCE=5V IC=1A ; VCE=5V IC=0.2A ; VCE=10V 15 8 8 MIN 400 2SC3169 SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT TYP. MAX UNIT V 1.0 1.5 100 100 V V µA µA MHz Switching times ton tstg tf Turn-on time Storage time Fall time IC=1A ; IB1=-IB2=0.2A VCC=100V 1.0 3.0 1.0 µs µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3169 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3

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1. 物料型号：2SC3169 2. 器件简介： - 该器件是一个硅NPN功率晶体管。 - 采用TO-220Fa封装。 - 具有低集电极饱和电压和高击穿电压。 3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：发射极（Emitter） 4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：500V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：400V，开路基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：7V，开路集电极。 - 集电极电流（Ic）：2A。 - 集电极峰值电流（ICM）：4A。 - 集电极功率耗散（Pc）：2W，T=25°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。 5. 功能详解： - 该器件适用于高速开关应用。 - 维持电压（VCEO(SUS)）：400V，Ic=0.2A，L=25mH。 - 饱和电压（VCEsat）：1.0V，Ic=1A；Ib=0.2A。 - 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：1.5V，Ic=1A；Ib=0.2A。 - 集电极截止电流（ICBO）：100μA，Vcs=500V；Ie=0。 - 发射极截止电流（IEBO）：100μA，VEB=5V；Ic=0。 - 直流电流增益（hFE-1）：15，Ic=0.1A；Vce=5V。 - 直流电流增益（hFE-2）：8，Ic=1A；Vce=5V。 - 过渡频率（fT）：8MHz，Ic=0.2A；Vce=10V。 6. 应用信息： - 适用于高速开关应用。 7. 封装信息： - TO-220Fa封装，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.15mm。

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