2SC3258

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC3258 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3258 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA1293 ·Low collector saturation voltage ·High speed switching time APPLICATIONS ·High current switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 100 80 7 5 8 1 30 150 -55~150 UNIT V V V A A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector -emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=10mA ,IB=0 IC=3A; IB=0.15A IC=3A; IB=0.15A VCB=100V; IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=1A ; VCE=1V IC=3A ; VCE=1V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IC=1A ; VCE=4V 70 40 MIN 80 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 Cob fT 2SC3258 TYP. MAX UNIT V 0.4 1.2 1 1 240 V V µA µA 80 120 pF MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=3.0A IB1=- IB2=0.15A RL=10A;VCCB30V 0.2 1.0 0.1 µs µs µs hFE-1 Classifications O 70-140 Y 120-240 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3258 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3258 4

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2SC3258

1. 物料型号： - 型号：2SC3258

2. 器件简介： - 2SC3258是一种硅NPN功率晶体管，采用TO-220封装。 - 与2SA1293型号相补充。 - 具有低集电极饱和电压和高速开关时间。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：100V - 集电极-发射极电压（VCEO）：80V - 发射极-基极电压（VEBO）：7V - 集电极电流（Ic）：5A - 集电极峰值电流（ICM）：8A - 基极电流（Ib）：1A - 集电极功耗（Pc）：30W（在25°C时） - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C

5. 功能详解： - 该晶体管具有低集电极-发射极饱和电压（VCEsat），在Ic=3A，IB=0.15A时为0.4V。 - 基极-发射极饱和电压（VBEsat）在相同条件下为1.2V。 - 直流电流增益（hFE）在Ic=1A，VcE=1V时为70至240。 - 输出电容（Cob）在Ic=0，VcB=10V，f=1MHz时为80pF。 - 过渡频率（fr）在Ic=1A，VcE=4V时为120MHz。 - 开启时间（ton）、存储时间（ts）和下降时间（t）分别为0.2us、1.0us和0.1us。

6. 应用信息： - 适用于高电流开关应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220C，具体尺寸见图2。

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