2SC3300

2SC3300

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC3300 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC3300 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3300 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Low saturation voltage ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·Power and general purpose application PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 100 100 6 15 25 100 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain CONDITIONS IC=25mA ;IB=0 IC=1mA ;IE=0 IE=1mA ;IC=0 IC=10A ;IB=1A IC=10A ;IB=1A VCB=100V; IE=0 VEB=6V; IC=0 IC=5A ; VCE=4V 30 MIN 100 100 6 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCE(sat) VBE(sat) ICBO IEBO hFE 2SC3300 TYP. MAX UNIT V V V 0.5 1.5 0.1 0.1 120 V V mA mA 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3300 Fig.2 outline dimensions 3
2SC3300
1. 物料型号:2SC3300,是SavantIC Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介: - 采用TO-3PN封装。 - 低饱和电压。 - 宽安全工作区域。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(Base)。 - 引脚2:集电极,连接到安装底(Collector;connected to mounting base)。 - 引脚3:发射极(Emitter)。

4. 参数特性: - 集-基电压(VCBO):100V。 - 集-射电压(VCEO):100V。 - 发-基电压(VEBO):6V。 - 集电极电流(DC)(Ic):15A。 - 集电极峰值电流(ICM):25A。 - 集电极功率耗散(Pc):100W(在Tc=25°C时)。 - 结温(TJ):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C。

5. 功能详解: - 集-射击穿电压(V(BR)CEO):100V(IC=25mA; IB=0)。 - 集-基击穿电压(V(BR)CBO):100V(IC=1mA; IE=0)。 - 发-基击穿电压(V(BR)EBO):6V(IE=1mA; IC=0)。 - 集-射饱和电压(VCE(sat)):0.5V(IC=10A; IB=1A)。 - 基-发射饱和电压(VBE(sat)):1.5V(IC=10A; IB=1A)。 - 集电极截止电流(ICBO):0.1mA(VCB=100V; IE=0)。 - 发射极截止电流(IEBO):0.1mA(VEB=6V; IC=0)。 - 直流电流增益(hFE):30至120(IC=5A; VCE=4V)。

6. 应用信息:适用于功率和通用应用。

7. 封装信息:TO-3PN封装,具体外形图已在文档中提供。
2SC3300 价格&库存

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