2SC3352

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC3352 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3352 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High voltage ·High speed switching APPLICATIONS ·For high speed switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current TC=25 PC Collector power dissipation Ta=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 2 150 -55~150 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 800 500 7 1.5 3.0 0.5 25 W UNIT V V V A A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=10mA , IB=0 IC=1A; IB=0.2A IC=1A; IB=0.2A VCB=800V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.1A ; VCE=5V IC=1A ; VCE=5V IC=0.2A ; VCE=10V 15 8 MIN 500 2SC3352 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT TYP. MAX UNIT V 1.0 1.5 0.1 0.1 V V mA mA 2.5 MHz Switching times ton tstg tf Turn-on time Storage time Fall time IC=1A; IB1=-IB2=0.2A VCC=200V 1.0 3.0 1.0 µs µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3352 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3

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2SC3352

1. 物料型号：2SC3352，这是一个Silicon NPN Power Transistors（硅NPN功率晶体管）。

2. 器件简介： - 2SC3352采用TO-220Fa封装。 - 具有高电压和高速开关特性。

3. 引脚分配： - 1号引脚：Base（基极）。 - 2号引脚：Collector（集电极）。 - 3号引脚：Emitter（发射极）。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电-基极电压）：800V，开路发射极。 - VCEO（集电-发射极电压）：500V，开路基极。 - VEBO（发射-基极电压）：7V。 - Ic（集电极电流）：1.5A。 - ICM（集电极峰值电流）：3.0A。 - IB（基极电流）：0.5A。 - Pc（集电极功耗）：25W，Tc=25°C。 - Ta=25°C时为2W。 - Tj（结温）：150°C。 - Tstg（储存温度）：-55~150°C。 - 电特性： - V(BR)CEO（集电-发射极击穿电压）：500V。 - VCEsat（集电-发射极饱和电压）：1.0V。 - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：1.5V。 - ICBO（集电极截止电流）：0.1mA。 - IEBO（发射极截止电流）：0.1mA。 - hFE（直流电流增益）：Ic=0.1A时为15，Ic=1A时为8。 - fT（过渡频率）：2.5MHz。

5. 功能详解：2SC3352适用于高速开关应用。

6. 应用信息：适用于高速开关应用。

7. 封装信息：TO-220Fa封装，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.15mm。

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