2SC3387

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC3387 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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2SC3387 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3387 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High breakdown voltage ·Fast switching speed APPLICATIONS ·For horizontal deflection output applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 1200 500 6 5 10 50 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3387 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain CONDITIONS IC=100mA ;IB=0 IE=1mA ;IC=0 IC=4A ;IB=0.8A IC=4A ;IB=0.8A VCB=800V; IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=0.3A ; VCE=5V 15 MIN 500 6 5.0 1.5 10 10 TYP. MAX UNIT V V V V µA µA SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3387 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SC3387

1. 物料型号：2SC3387，这是一个Silicon NPN Power Transistors（硅NPN功率晶体管）。

2. 器件简介： - 封装类型：TO-3PN - 特点：高击穿电压、快速开关速度 - 应用：适用于水平偏转输出应用

3. 引脚分配： - PIN 1: Base（基极） - PIN 2: Collector; connected to mounting base（集电极；连接到安装底） - PIN 3: Emitter（发射极）

4. 参数特性： - VCBO（集电极-基极电压）：1200V - VCEO（集电极-发射极电压）：500V - VEBO（发射极-基极电压）：6V - Ic（集电极电流）：5A - ICM（集电极峰值电流）：10A - Pc（集电极功耗）：50W（在Tc=25°C时） - Tj（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-55~150°C

5. 功能详解： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：在Ic=100mA; Ib=0条件下，典型值为500V - VBE(BR)BO（发射极-基极击穿电压）：在Ie=1mA; Ic=0条件下，最小值为6V - VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=4A; Ib=0.8A条件下，最大值为5.0V - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：在Ic=4A; Ib=0.8A条件下，最大值为1.5V - ICBO（集电极截止电流）：在VcB=800V; Ie=0条件下，最大值为10uA - IEBO（发射极截止电流）：在VEB=4V; Ic=0条件下，最大值为10uA - hFE（直流电流增益）：在Ic=0.3A; VcE=5V条件下，最小值为15

6. 应用信息：适用于水平偏转输出应用。

7. 封装信息：TO-3PN封装，具体尺寸见图2（未提供具体数值，仅说明未标注的公差为±0.1mm）。

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