2SC3507

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC3507 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3507 DESCRIPTION ·With TO-3PFa package ·High-speed switching ·High collector-base voltage VCBO ·Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE APPLICATIONS ·For high-speed switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current TC=25 PC Collector power dissipation Ta=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 3 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1000 800 7 5 10 3 80 W UNIT V V V A A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=0.5A ;L=50mH IC=3A ;IB=0.6A IC=3A ;IB=0.6A VCB=1000V; IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=3A ; VCE=5V IC=0.5A ; VCE=5V;f=1MHz 6 MIN 800 2SC3507 SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT TYP. MAX UNIT V 1.5 1.5 50 50 V V µA µA 6 MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=3A; VCC=250V IB1=0.6A ,IB2=-1.2A 1.0 2.5 0.5 µs µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3507 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3507 4

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2SC3507

1. 物料型号：2SC3507，这是一个Silicon NPN Power Transistors（硅NPN功率晶体管）。

2. 器件简介： - 采用TO-3PFa封装。 - 具有高速开关特性。 - 高于集电极-基极电压VCBO。 - 前向电流传输比$h_{FE}$的线性度令人满意。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：集电极（Collector）。 - 3号引脚：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压VCBO：1000V。 - 集电极-发射极电压VCEO：800V。 - 发射极-基极电压VEBO：7V。 - 集电极电流Ic：5A。 - 集电极峰值电流IcM：10A。 - 基极电流Is：3A。 - 集电极功耗Pc：80W（在Tc=25°C时）。 - 结温Tj：150°C。 - 存储温度Tstg：-55~150°C。

5. 功能详解： - 适用于高速开关应用。 - 具有维持电压VCEO(SUS)：800V（在IC=0.5A，L=50mH条件下）。 - 饱和电压VCEsat：1.5V（在IC=3A，IB=0.6A条件下）。 - 基极-发射极饱和电压VBEsat：1.5V（在IC=3A，IB=0.6A条件下）。 - 直流电流增益hFE：6（在IC=3A，VCE=5V条件下）。 - 过渡频率fT：6MHz（在IC=0.5A，VCE=5V，f=1MHz条件下）。

6. 应用信息：适用于高速开关应用。

7. 封装信息：TO-3PFa封装，具体尺寸图见文档中的Fig.2 Outline dimensions。

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