2SC3591

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SC3591 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3591 DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Fast switching speed ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·High-definition CRT display horizontal deflection output applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 400 200 6 7 12 4 50 150 -55~150 UNIT V V V A A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Fall time CONDITIONS IC=1mA ; RBE=; IC=1mA ; IE=0 IE=1mA ; IC=0 IC=5A; IB=0.5A IC=5A; IB=0.5A VCB=250V ;IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1 A ; VCE=1V IC=5 A ; VCE=1V IC=0.5 A ; VCE=10V VCC=50V;IC=5A; IB1=-IB2=0.5A ;RL=10A 15 10 10 MIN 200 400 6 2SC3591 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE -2 fT tf TYP. MAX UNIT V V V 0.8 1.5 100 100 V V µA µA 50 MHz 0.3 µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3591 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3591 4

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2SC3591

1. 物料型号：2SC3591，这是一个Silicon NPN Power Transistors的型号。

2. 器件简介： - 封装为TO-220C。 - 具有快速开关速度。 - 低集电极饱和电压。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base）。 - 引脚2：集电极，连接到安装底板（Collector; connected to mounting base）。 - 引脚3：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：400V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：200V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：6V。 - 集电极电流（Ic）：7A。 - 集电极峰值电流（ICM）：12A。 - 基极电流（IB）：4A。 - 集电极功率耗散（Pc）：50W。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。

5. 功能详解： - 该晶体管具有低集电极饱和电压和快速开关速度，适用于高清CRT显示器水平偏转输出应用。

6. 应用信息： - 适用于高清CRT显示器水平偏转输出应用。

7. 封装信息： - 提供了TO-220C封装的外形尺寸图，具体尺寸和公差信息可以在文档中查看。

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