1. 物料型号：2SC3636，这是SavantIC Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介：
- 采用TO-3PN封装。
- 具有高电压、高速和高可靠性特点。
- 应用于超高清晰度CRT显示器的水平偏转输出。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）。
- 2号引脚：集电极，连接到安装底（Collector;connected to mounting base）。
- 3号引脚：发射极（Emitter）。
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：900V，开路发射极。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：500V，开路基极。
- 发射极-基极电压（VEBO）：7V，开路集电极。
- 集电极电流（Ic）：7A。
- 集电极峰值电流（IcM）：14A。
- 集电极功耗（Pc）：80W，Tc=25°C。
- 结温（Tj）：150°C。
- 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。
5. 功能详解：
- 维持电压（VCEO(SUS)）：500V，Ic=100mA;Ib=0。
- 饱和电压（VCEsat）：2.0V，Ic=4A;Ib=0.8A。
- 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：1.5V，Ic=4A;Ib=0.8A。
- 集电极截止电流（IcBO）：10A，VcB=500V;Ie=0。
- 集电极截止电流（IcEs）：0.5mA，VcE=900V;RBE=0。
- 发射极截止电流（IEBO）：1.0mA，VEB=5V;Ic=0。
- 直流电流增益（hFE）：8，Ic=0.8A;VcE=5V。
6. 应用信息：
- 用于超高清晰度CRT显示器的水平偏转输出应用。
7. 封装信息：
- 图2显示了TO-3PN的外形尺寸，未标明的公差为±0.1mm。
