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2SC3756

2SC3756

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC3756 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC3756 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3756 DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·High speed ·High breakdown voltage ·High reliability APPLICATIONS ·For TV horizontal deflection output applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Ta=25 PC Collector dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 60 150 -55~150 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS MAX 1200 800 6 6 3.0 W UNIT V V V A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain CONDITIONS IC=0.1A ;IB=0 IC=4A ;IB=1A IC=4A ;IB=1A VCB=800V ;IE=0 VCE=1200V; RBE=0 VEB=4V ;IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=4A ; VCE=5V 8 4 MIN 800 2SC3756 SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat VBEsat ICBO ICES IEBO hFE-1 hFE-2 TYP. MAX UNIT V 5.0 1.5 10 1.0 10 36 V V µA mA µA 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3756 Fig.2 outline dimensions 3
2SC3756
物料型号: - 型号:2SC3756 - 制造商:SavantIC Semiconductor

器件简介: - 2SC3756是一款硅NPN功率晶体管。 - 特点包括高速、高击穿电压和高可靠性。 - 封装为TO-3PML。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 集基电压(VCBO):1200V - 集电极-发射极电压(VCEO):800V - 发射极-基极电压(VEBO):6V - 集电极电流(Ic):6A - 集电极耗散功率(Pc):3.0W(Ta=25°C时)/ 60W(Tc=25°C时) - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C

功能详解: - 该晶体管适用于电视水平偏转输出应用。 - 在Ic=0.1A和Ib=0条件下,维持电压VCEO(SUS)为800V。 - 在Ic=4A和Ib=1A条件下,饱和电压VCEsat为5.0V。 - 在Ic=4A和Ib=1A条件下,基极-发射极饱和电压VBEsat为1.5V。 - 集电极截止电流ICBO小于10μA(在VcB=800V和IE=0条件下)。 - 集电极截止电流ICES小于1.0mA(在Vce=1200V和Re=0条件下)。 - 发射极截止电流EBO小于10μA(在VEB=4V和Ic=0条件下)。 - 直流电流增益hFE-1在Ic=1A和Vce=5V条件下为8至36。 - 直流电流增益hFE-2在Ic=4A和Vce=5V条件下为4至无限大。

应用信息: - 适用于电视水平偏转输出应用。

封装信息: - 封装类型:TO-3PML。 - 提供了简化外形图和符号(见图1)。 - 提供了外形尺寸图(见图2)。
2SC3756 价格&库存

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