2SC3944

厂商：
SAVANTIC
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描述：
2SC3944 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3944 2SC3944A DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Complement to type 2SA1535/1535A ·High transition frequency APPLICATIONS ·For low-frequency driver and high power amplification ·Optimum for the driver-stage of a 60W to 100W output amplifier PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2SC3944 VCBO Collector-base voltage 2SC3944A 2SC3944 VCEO Collector-emitter voltage 2SC3944A VEBO IC ICM Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25 PC Collector power dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 15 150 -55~150 Open collector Open base 180 5 1.0 1.5 2.0 W V A A Open emitter 180 150 V CONDITIONS VALUE 150 V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2SC3944 IC=1mA; IB=0 2SC3944A IE=10µA; IC=0 IC=0.5 A;IB=50m A IC=0.5 A;IB=50m A VCB=150V; IE=0 CONDITIONS 2SC3944 2SC3944A SYMBOL MIN 150 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage V 180 5 2.0 2.0 V V V V(BR)EBO VCEsat VBEsat Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 2SC3944 2SC3944A ICBO Collector cut-off current 10 VCB=180V; IE=0 IC=150mA ; VCE=10V IC=500mA ; VCE=5V IC=50mA ; VCB=10V IE=0; VCB=10V;f=1MHz 95 50 200 30 220 µA hFE-1 hFE-2 fT COB DC current gain DC current gain Transition frequency Output capacitance MHz pF hFE classifications Q 95-155 R 130-220 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3944 2SC3944A Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3

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2SC3944

物料型号： - 型号：2SC3944 和 2SC3944A

器件简介： - 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-220Fa封装。 - 它们是2SA1535/1535A型号的补充型号，具有较高的转换频率。 - 适用于低频驱动和高功率放大，特别适合用于60W至100W输出放大器的驱动级。

引脚分配： - 1（基极） - 2（集电极） - 3（发射极）

参数特性： - 集电区-基区电压（VCBO）：2SC3944为150V，2SC3944A为180V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：2SC3944为150V，2SC3944A为180V。 - 发射极-基区电压（VEBO）：开集电极时为5V。 - 集电极电流（Ic）：1.0A。 - 集电极峰值电流（ICM）：1.5A。 - 集电极功率耗散（Pc）：在环境温度25°C时为2.0W，在结温25°C时为15W。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。

功能详解： - 集电区-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：2SC3944为150V，2SC3944A为180V。 - 发射极-基区击穿电压（VBR)EBO）：5V。 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：在Ic=0.5A和Ib=50mA时为2.0V。 - 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：在Ic=0.5A和Ib=50mA时为2.0V。 - 集电极截止电流（IcBO）：2SC3944为10A，2SC3944A为10A。 - 直流电流增益（hFE-1）：在Ic=150mA和VcE=10V时，范围为95至220。 - 直流电流增益（hFE-2）：在Ic=500mA和VcE=5V时，最小值为50。 - 转换频率（fr）：在Ic=50mA和VcB=10V时，为200MHz。 - 输出电容（CoB）：在Ic=0和VcB=10V和f=1MHz时，为30pF。

应用信息： - 适用于低频驱动和高功率放大。 - 最适合用于60W至100W输出放大器的驱动级。

封装信息： - 封装类型：TO-220Fa。 - 封装图示和尺寸图可在文档中查看，未注明的公差为±0.15mm。

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