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2SC4231

2SC4231

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC4231 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC4231 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4231 DESCRIPTION ·With ITO-220 package ·Switching power transistor ·High voltage ,high speed PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (ITO-220) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Base current-Peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1200 800 7 2 4 1 2 30 150 -55~150 UNIT V V V A A A A W THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-C PARAMETER Thermal resistance junction case MAX 4.16 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4231 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current At rated volatge ICEO IEBO hFE-1 hFE-2 fT ton ts tf Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Turn-on time Storage time Fall time IC=1;IB1=0.2A; IB2=0.4A;RL=250C VBB2=4V At rated volatge IC=1A ; VCE=5V IC=1mA ; VCE=5V IC=0.2A ; VCE=10V 8 7 8 0.5 3.5 0.3 MHz µs µs µs 0.1 mA 0.1 mA CONDITIONS IC=0.1A;IB=0 IC=1A; IB=0.2A IC=1A ;IB=0.2A MIN 800 1.0 1.5 TYP. MAX UNIT V V V SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat VBEsat ICBO 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC4231 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.20 mm) 3
2SC4231
物料型号: - 型号为2SC4231。

器件简介: - 2SC4231是一款硅NPN功率晶体管,具有ITO-220封装,适用于开关电源和高频应用,特点是高电压、高速。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):1200V,开发射极 - 集-发电压(VCEO):800V,开基极 - 发-基电压(VEBO):7V,开集电极 - 集电极电流(Ic):2A - 集电极峰值电流(ICM):4A - 基极电流(IB):1A - 基极峰值电流(IBM):2A - 总功率耗散(PT):30W,Tc=25℃ - 结温(Tj):150℃ - 存储温度(Tstg):-55℃至150℃

功能详解: - 维持电压(VCEO(SUS)):800V,在Ic=0.1A,Ib=0条件下 - 饱和电压(VCEsat):1.0V,在Ic=1A,IB=0.2A条件下 - 基-发射饱和电压(VBEsat):1.5V,在Ic=1A,IB=0.2A条件下 - 集电极截止电流(ICBO):0.1mA,额定电压下 - 发射极截止电流(IEBO):0.1mA,额定电压下 - 直流电流增益(hFE-1):8,Ic=1A,VcE=5V - 直流电流增益(hFE-2):7,Ic=1mA,VcE=5V - 转换频率(fT):8MHz,Ic=0.2A,VcE=10V - 导通时间(ton):0.5s,在Ic=1A,IB1=0.2A,IB2=0.4A,R=250Ω,VBB2=4V条件下 - 存储时间(ts):3.5s - 下降时间(t):0.3s

应用信息: - 适用于开关电源和高频应用。

封装信息: - ITO-220封装,具体尺寸见PDF中图2,未标注的公差为±0.20mm。
2SC4231 价格&库存

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