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2SC4770

2SC4770

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC4770 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC4770 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4770 DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·High breakdown voltage, high reliability. ·High speed APPLICATIONS ·Ultrahigh-definition color display ·Horizontal deflection output applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25 PC Collector power dissipation 3 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 150 -55~150 W CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 800 6 7 16 60 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4770 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector-emitter sustaining voltage Emitter cut-off current Collector cut-off current Collector cut-off current DC current gain DC current gain CONDITIONS IC=5A;IB=1.7 A IC=5A;IB=1.7 A IC=100mA;IB=0 VEB=4V; IC=0 VCB=800V; IE=0 VCE=1500V; RBE=0 IC=1 A ; VCE=5V IC=5A ; VCE=5V 8 3 8 800 1 10 1 MIN TYP. MAX 5 1.5 UNIT V V V mA µA mA SYMBOL VCEsat VBEsat VCEO(SUS) IEBO ICBO ICES hFE-1 hFE-2 Switching times tstg tf Storage time Fall time IC=4A;RL=50A IB1=0.8A;- IB2=1.6A VCC=200V 3.0 0.1 0.2 µs µs hFE-2 classifications 1 3-5 2 4-6 3 5-8 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC4770 Fig.2 Outline dimensions 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4770 4
2SC4770
1. 物料型号:2SC4770,这是一个SavantIC Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistor。

2. 器件简介: - 采用TO-3PML封装。 - 具有高击穿电压和高可靠性。 - 适用于高速应用。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):1500V - 集电极-发射极电压(VCEO):800V - 发射极-基极电压(VEBO):6V - 集电极电流(Ic):7A - 集电极峰值电流(ICM):16A - 集电极功耗(Pc):60W(Tc=25°C时) - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C

5. 功能详解: - 该晶体管在饱和状态下的集电极-发射极电压(VCEsat)为5V,基极-发射极饱和电压(VBEsat)为1.5V。 - 维持电压(VCEO(SUS))为800V。 - 发射极截止电流(IEBO)为1mA,集电极截止电流(ICBO)为10uA,集电极截止电流(IcEs)为1mA。 - 直流电流增益(hFE)在不同集电极电流下有不同的范围,分别为8至15(Ic=1A时),3至8(Ic=5A时)。

6. 应用信息: - 适用于超高清彩色显示器和水平偏转输出应用。

7. 封装信息: - 该器件采用TO-3PML封装,具体尺寸见图2。
2SC4770 价格&库存

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