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2SC5339

2SC5339

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC5339 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC5339 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC5339 DESCRIPTION ·With TO-3P(H)IS package ·High voltage ,high speed ·Low saturation voltage ·Bult-in damper diode APPLICATIONS ·Horizontal deflection output for medium resolution display,color TV ·High speed switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 1500 600 5 7 14 3.5 50 150 -55~150 UNIT V V V A A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC5339 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Collector output capacitance Diode forward voltage Transition frequency CONDITIONS IE=400mA ;IC=0 IC=5A; IB=1.25A IC=5A; IB=1.25A VCB=1500V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=5A ; VCE=5V IE=0 ; VCB=10V,f=1MHz IF=5A IE=0.1A ; VCE=10V 71 10 4 82 1.35 2.4 1.8 MIN 5 5 1.3 1 250 30 8 pF V MHz TYP. MAX UNIT V V V mA mA SYMBOL V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 Cob VF fT Switching times ts tf Storage time Fall time 4 0.2 6 0.5 µs µs ICP=5A;IB1(end) =1.1A fH=31.5kHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC5339 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.20 mm) 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC5339 4
2SC5339
1. 物料型号:2SC5339

2. 器件简介: - 该器件是一个硅NPN功率晶体管,具有TO-3P(H)IS封装。 - 特点包括高电压、高速、低饱和电压和内置阻尼二极管。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Mw. Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - VCBO(集电极-基极电压):1500V - VCEO(集电极-发射极电压):600V - VEBO(发射极-基极电压):5V - Ic(集电极电流):7A - ICM(集电极峰值电流):14A - Is(基极电流):3.5A - Pc(总功率耗散):50W - Tj(结温):150°C - Tstg(存储温度):-55至150°C - 特性参数: - V(BR)EBO(发射极-基极击穿电压):5V - VCEsat(集电极-发射极饱和电压):5V - VBEsat(基极-发射极饱和电压):1.3V - ICBO(集电极截止电流):1mA - IEBO(发射极截止电流):71至250mA - hFE-1(直流电流增益,Ic=1A; VcE=5V):10至30 - hFE-2(直流电流增益,Ic=5A; VcE=5V):4至8 - Cob(集电极输出电容):82pF - VF(二极管正向电压):1.35至1.8V - fT(过渡频率):2.4MHz

5. 功能详解: - 该晶体管适用于中等分辨率显示器和彩色电视的水平偏转输出,以及高速开关应用。

6. 应用信息: - 水平偏转输出和高速开关应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3P(H)IS。
2SC5339 价格&库存

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