1. 物料型号:2SC5386,这是一个Silicon NPN Power Transistors(硅NPN功率晶体管)。
2. 器件简介:
- 2SC5386具有TO-3P(H)IS封装。
- 特点包括高电压、高速和低集电极饱和电压。
- 应用领域包括高分辨率显示器、彩色电视的水平偏转输出和高速开关应用。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)
- 2号引脚:集电极(Collector)
- 3号引脚:发射极(Emitter)
4. 参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):1500V
- 集电极-发射极电压(VCEO):600V
- 发射极-基极电压(VEBO):5V
- 集电极电流(Ic):8A
- 集电极峰值电流(IcM):16A
- 基极电流(Is):4A
- 总功率耗散(Pc):50W
- 结温(Tj):150°C
- 存储温度(Tstg):-55°C至150°C
5. 功能详解:
- 该器件在25°C结温下的特性包括击穿电压、饱和电压、截止电流等参数。
- 直流电流增益(hFE)在不同集电极电流下的最小值和典型值。
- 集电极输出电容(Cob)和过渡频率(fr)。
6. 应用信息:
- 适用于高分辨率显示器和彩色电视的水平偏转输出。
- 适用于高速开关应用。
7. 封装信息:
- 提供了TO-3P(H)IS封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.20mm。