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2SC5386

2SC5386

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SC5386 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC5386 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(H)IS package ·High voltage;high speed ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Horizontal deflection output for high resolution display,color TV ·High speed switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION 2SC5386 Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 600 5 8 16 4 50 150 -55~150 UNIT V V V A A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC5386 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Collector output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=10mA ;IB=0 IC=6A; IB=1.5A IC=6A; IB=1.5A VCB=1500V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=6A ; VCE=5V IE=0 ; VCB=10V,f=1MHz IE=0.1A ; VCE=10V 15 4.3 105 1.7 MIN 600 3.0 1.5 1.0 10 35 7.5 pF MHz TYP. MAX UNIT V V V mA µA SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 Cob fT Switching times ts tf Storage time Fall time 2.5 0.15 3.5 0.3 µs µs ICP=5A;IB1(end)=1.0A fH =64kHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC5386 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.20 mm) 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC5386 4
2SC5386
1. 物料型号:2SC5386,这是一个Silicon NPN Power Transistors(硅NPN功率晶体管)。

2. 器件简介: - 2SC5386具有TO-3P(H)IS封装。 - 特点包括高电压、高速和低集电极饱和电压。 - 应用领域包括高分辨率显示器、彩色电视的水平偏转输出和高速开关应用。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):1500V - 集电极-发射极电压(VCEO):600V - 发射极-基极电压(VEBO):5V - 集电极电流(Ic):8A - 集电极峰值电流(IcM):16A - 基极电流(Is):4A - 总功率耗散(Pc):50W - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C

5. 功能详解: - 该器件在25°C结温下的特性包括击穿电压、饱和电压、截止电流等参数。 - 直流电流增益(hFE)在不同集电极电流下的最小值和典型值。 - 集电极输出电容(Cob)和过渡频率(fr)。

6. 应用信息: - 适用于高分辨率显示器和彩色电视的水平偏转输出。 - 适用于高速开关应用。

7. 封装信息: - 提供了TO-3P(H)IS封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.20mm。
2SC5386 价格&库存

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