1. 物料型号:2SD1136,由SavantIC Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介:
- 封装为TO-220C。
- 高集电极-基极击穿电压:VCBO=200V(最小值)。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)。
- 2号引脚:集电极,连接到安装底(Collector;connected to mounting base)。
- 3号引脚:发射极(Emitter)。
4. 参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):200V。
- 集电极-发射极电压(VCEO):80V。
- 发射极-基极电压(VEBO):5V。
- 集电极电流(Ic):4A。
- 集电极峰值电流(IcM):5A。
- 集电极功耗(Pc):1.8W(Ta=25°C时)和30W(Tc=25°C时)。
- 结温(Tj):150°C。
- 存储温度(Tstg):-45°C至150°C。
5. 功能详解:
- 用于功率开关和电视垂直偏转输出应用。
- 特性参数包括集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流和直流电流增益等。
6. 应用信息:
- 适用于功率开关和电视垂直偏转输出应用。
7. 封装信息:
- 提供了TO-220C封装的外形尺寸图,具体尺寸未在文本中给出,但可通过链接查看:[Fig.2 Outline dimensions](https://p9-flow-imagex-sign.byteimg.com/ocean-cloud-tos/pdf/1c006c3933745946d087459296543e18_2_1200.jpg~tplv-a9rns2rl98-resize-crop:219:269:582:691:363:422.jpeg?rk3s=1567c5c4&x-expires=1771260506&x-signature=GZF01Qzk0TSBcHE4uznZuGk0RBM%3D)。