2SD1175

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SD1175 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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2SD1175 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1175 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Built-in damper diode ·High voltage ,high power dissipation ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·Line-operated horizontal deflection output applications PINNING(see fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 1500 5 5 100 150 -65~150 UNIT V V V A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER CONDITIONS MIN 2SD1175 SYMBOL TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=500mA; IC=0; 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4.0 A;IB=0.8 A 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=4.0 A;IB=0.8 A 1.5 V VCB=750V;IE=0 ICBO Collector cut-off current VCB=1500V;IE=0 50 µA 1.0 mA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 10 30 hFE-2 DC current gain IC=4A ; VCE=10V 5 VF Diode forward voltage IF=4A 2.5 V 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1175 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SD1175

物料型号：2SD1175

器件简介： - 2SD1175是一款由SavantIC Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。 - 特点包括TO-3封装、内置阻尼二极管、高电压、高功率耗散以及广泛的安全操作区域。

引脚分配： - 1: Base（基极） - 2: W Emitter（发射极） - 3: Collector（集电极）

参数特性： - VCBO（集电极-基极电压）：开路发射极时1500V - VCEO（集电极-发射极电压）：开路基极时1500V - VEBO（发射极-基极电压）：开路集电极时5V - Ic（集电极电流）：5A - PT（总功率耗散）：在Tc=25°C时100W - Tj（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-65°C至150°C

功能详解： - 2SD1175在Tj=25°C时的特性如下： - V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：le=500mA;Ic=0时为5V - VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：Ic=4.0A;Ib=0.8A时为5.0V - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：Ic=4.0A;Ib=0.8A时为1.5V - ICBO（集电极截止电流）：VcB=750V;Ib=0时为50A;VcB=1500V;Ie=0时为1.0mA - hFE-1（直流电流增益）：Ic=1A;VcE=5V时为10至30 - hFE-2（直流电流增益）：Ic=4A;VcE=10V时为5至30 - VF（二极管正向电压）：IF=4A时为2.5V

应用信息： - 2SD1175适用于线路操作的水平偏转输出应用。

封装信息： - 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2。

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