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2SD1274

2SD1274

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1274 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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2SD1274 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1274 2SD1274A 2SD1274B DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High VCBO ·High speed switching APPLICATIONS ·Power amplifier applicaitons PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2SD1274 VCBO Collector-base voltage 2SD1274A 2SD1274B VCEO VEBO IC Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) TC=25 PC Collector power dissipation Ta=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 2 150 -55~150 Open base Open collector Open emitter CONDITIONS VALUE 150 200 250 80 6 5 40 W V V A V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage 2SD1274 ICBO Collector cut-off current 2SD1274A 2SD1274B IEBO hFE fT tf Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Fall time 2SD1274 2SD1274A 2SD1274B SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)EBO VCEsat VBE CONDITIONS IC=0.2A, L=25mH IE=1mA, IC=0 IC=5A; IB=1A IC=5A ; VCE=4V VCB=150V; IE=0 VCB=200V; IE=0 VCB=250V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=5A ; VCE=4V IC=0.5A ; VCE=10V IC=5A ;IB1=0.8A VEB=-5V MIN 80 6 TYP. MAX UNIT V V 1.6 1.5 V V 1 mA 50 14 40 1.0 µA MHz µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1274 2SD1274A 2SD1274B Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3
2SD1274
物料型号: - 2SD1274 - 2SD1274A - 2SD1274B

器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-220Fa封装,具有高集电极-基极电压和高速开关特性,适用于功率放大器应用。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):2SD1274为150V,2SD1274A为200V,2SD1274B为250V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):80V。 - 发射极-基极电压(VEBO):6V。 - 集电极电流(Ic):5A。 - 集电极功耗(Pc):在25°C时为40W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C。

功能详解: - 该晶体管支持高速开关,具有较低的饱和电压(VCEsat),在5A集电极电流和4V集电极-发射极电压下的典型值为1.6V。 - 基极-发射极电压(VBE)在5A集电极电流和4V集电极-发射极电压下为1.5V。 - 直流电流增益(hFE)在5A集电极电流和4V集电极-发射极电压下最小值为14。 - 过渡频率(fr)在0.5A集电极电流和10V集电极-发射极电压下为40MHz。 - 下降时间(tf)在5A集电极电流、0.8A基极电流和-5V发射极-基极电压下为1.0秒。

应用信息: - 适用于功率放大器应用。

封装信息: - TO-220Fa封装,具体尺寸图见文档中的图2,未标注的公差为±0.15mm。
2SD1274 价格&库存

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