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2SD1274B

2SD1274B

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1274B - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD1274B 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1274 2SD1274A 2SD1274B DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High VCBO ·High speed switching APPLICATIONS ·Power amplifier applicaitons PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2SD1274 VCBO Collector-base voltage 2SD1274A 2SD1274B VCEO VEBO IC Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) TC=25 PC Collector power dissipation Ta=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 2 150 -55~150 Open base Open collector Open emitter CONDITIONS VALUE 150 200 250 80 6 5 40 W V V A V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage 2SD1274 ICBO Collector cut-off current 2SD1274A 2SD1274B IEBO hFE fT tf Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Fall time 2SD1274 2SD1274A 2SD1274B SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)EBO VCEsat VBE CONDITIONS IC=0.2A, L=25mH IE=1mA, IC=0 IC=5A; IB=1A IC=5A ; VCE=4V VCB=150V; IE=0 VCB=200V; IE=0 VCB=250V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=5A ; VCE=4V IC=0.5A ; VCE=10V IC=5A ;IB1=0.8A VEB=-5V MIN 80 6 TYP. MAX UNIT V V 1.6 1.5 V V 1 mA 50 14 40 1.0 µA MHz µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1274 2SD1274A 2SD1274B Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3
2SD1274B
1. 物料型号: - 型号包括2SD1274、2SD1274A和2SD1274B,这些是NPN型功率晶体管。

2. 器件简介: - 这些晶体管采用TO-220Fa封装,具有高集电极-发射极电压($V_{CBO}$)和高速开关特性。

3. 引脚分配: - PIN 1: Base(基极) - PIN 2: Collector(集电极) - PIN 3: Emitter(发射极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值包括: - $V_{CBO}$(集电极-基极电压):2SD1274为150V,2SD1274A为200V,2SD1274B为250V。 - $V_{CEO}$(集电极-发射极电压):80V。 - $V_{EBO}$(发射极-基极电压):6V。 - $I_c$(集电极电流(DC)):5A。 - $P_c$(集电极功率耗散):40W($T_c=25°C$时)。 - $T_j$(结温):150°C。 - $T_{stg}$(储存温度):-55°C至150°C。

5. 功能详解: - 这些晶体管在25°C下工作,除非另有说明。特性包括: - $V_{CEO(SUS)}$(集电极-发射极维持电压):80V。 - $V_{(BR)EBO}$(发射极-基极击穿电压):6V。 - $V_{CEsat}$(集电极-发射极饱和电压):1.6V。 - $V_{BE}$(基极-发射极电压):1.5V。 - $I_{CBO}$(集电极截止电流):1mA。 - $I_{EBO}$(发射极截止电流):50μA。 - $h_{FE}$(直流电流增益):14。 - $f_r$(过渡频率):40MHz。 - $t_f$(下降时间):1.0s。

6. 应用信息: - 适用于功率放大器应用。

7. 封装信息: - 提供了TO-220Fa封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.15mm。
2SD1274B 价格&库存

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