物料型号：2SD1294
器件简介：
- 该器件是硅NPN功率晶体管。
- 采用TO-3P(I)封装。
- 具有广泛的安全工作区域。
- 高直流电流增益。
- 达林顿配置。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：安装底座，连接到集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- VCEO（集电极-发射极击穿电压）：在Ic=100mA;Ib=0条件下，最小值45V，典型值未提供，最大值75V。
- VCBO（集电极-基极击穿电压）：在Ic=100mA;Ie=0条件下，最小值45V，典型值未提供，最大值75V。
- VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=0.5A;Ib=1mA条件下，典型值1.5V；在Ic=1A;Ib=1mA条件下，典型值2.5V。
- VBE（基极-发射极导通电压）：在Ic=0.5A;Vce=5V条件下，典型值1.8V。
- IEBO（发射极截止电流）：在Veb=6V;Ic=0条件下，典型值0.1mA。
- hFE（直流电流增益）：在Ic=0.5A;Vce=5V条件下，最小值2000，最大值20000。
功能详解和应用信息：
- 该晶体管适用于线路操作的电视电源调节器。
封装信息：
- 提供了TO-3P(I)封装的外形图和尺寸图。
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