0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
2SD1396

2SD1396

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1396 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD1396 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1396 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Built-in damper diode ·High voltage ,high reliability ·High speed switching APPLICATIONS ·For horizontal output applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 800 7 2.5 10 80 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector- emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Fall time Diode forward voltage CONDITIONS IC=100mA; RBE=< IC=5mA; IE=0 IE=200mA; IC=0 IC=2A; IB=0.6A IC=2A; IB=0.6A VCB=800V; IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=0.5A ; VCE=5V IC=0.5A ; VCE=10V IC=2A;IB1=0.6A; IB2=-1.2A, VCC=200V; RL=100C IEC=2.5A 40 8 MIN 800 1500 7 2SD1396 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT tf VF TYP. MAX UNIT V V V 8.0 1.5 10 130 V V µA mA 3 0.7 2.0 MHz µs V 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1396 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2SD1396
1. 物料型号: - 型号为2SD1396,由SavantIC Semiconductor生产。

2. 器件简介: - 该器件是硅NPN功率晶体管。 - 特点包括:TO-3PN封装、内置阻尼二极管、高电压、高可靠性、高速开关。

3. 引脚分配: - 1号引脚为基极(Base)。 - 2号引脚为集电极,连接到安装底(Collector; connected to mounting base)。 - 3号引脚为发射极(Emitter)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(在25°C环境温度下): - 集-基电压(VCBO):1500V。 - 集-射电压(VCEO):800V。 - 发-基电压(VEBO):7V。 - 集电极电流(DC)(Ic):2.5A。 - 集电极峰值电流(ICM):10A。 - 集电极功率耗散(Pc):80W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C。

5. 功能详解: - 该晶体管适用于水平输出应用。 - 具有高电压、高可靠性和高速开关的特性,适合需要这些性能的应用。

6. 应用信息: - 适用于水平输出应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3PN,具体尺寸和公差在文档中有详细图示。
2SD1396 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“2SD1396”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货