2SD1402

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SD1402 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1402 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High speed switching ·High voltage,high reliability ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For CRT horizontal output applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 800 6 5 120 150 -55~150 UNIT V V V A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=100mA; IB=0 IE=1mA; IC=0 IC=4A; IB=0.8A IC=4A; IB=0.8A VCB=800V; IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=1A ; VCE=10V 8 MIN 800 6 2SD1402 SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT TYP. MAX UNIT V V 5.0 1.5 10 10 V V µA µA 3 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1402 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2SD1402

物料型号： - 型号：2SD1402

器件简介： - 该器件是一个硅NPN功率晶体管，具有TO-3PN封装。 - 特点包括高速开关、高电压、高可靠性以及广泛的安全工作区域。

引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极，连接到散热安装底（Collector; connected to heat sink mounting base） - 3号引脚：发射极（Emitter）

参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO：集电极-基极电压，开路发射极，1500V - VCEO：集电极-发射极电压，开路基极，800V - VEBO：发射极-基极电压，开路集电极，6V - Ic：集电极电流，5A - Pc：集电极功率耗散，Tc=25°C时，120W - Tj：结温，150°C - Tstg：储存温度，-55至150°C

功能详解： - 该器件在25°C的结温下的特性参数包括： - VCEO(SUS)：集电极-发射极维持电压，Ic=100mA; IB=0时，800V - V(BR)EBO：发射极-基极击穿电压，Ic=1mA; Ic=0时，6V - VCEsat：集电极-发射极饱和电压，Ic=4A; IB=0.8A时，5.0V - VBEsat：基极-发射极饱和电压，Ic=4A; IB=0.8A时，1.5V - ICBO：集电极截止电流，VcB=800V; IE=0时，10A - IEBO：发射极截止电流，VEB=4V; Ic=0时，10A - hFE：直流电流增益，Ic=1A; VcE=5V时，最小值为8 - fT：转换频率，Ic=1A; VcE=10V时，3MHz

应用信息： - 适用于CRT水平输出应用。

封装信息： - 提供了TO-3PN封装的外形图和尺寸图，未标明的公差为±0.10mm。

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