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2SD1417

2SD1417

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1417 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD1417 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1417 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·Complement to type 2SB1022 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Power amplifier and switching applications ·Hammer drive,pulse motor drive applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PARAMETER Collector-base voltage Collector -emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current TC=25 PC Collector power dissipation Ta=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 2.0 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 60 60 5 7 0.2 30 W UNIT V V V A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain CONDITIONS IC=50mA; IB=0 IC=3A ;IB=6mA IC=7A ;IB=14mA IC=3A ;IB=6mA VCB=60V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=3A ; VCE=3V IC=7A ; VCE=3V 2000 1000 MIN 60 2SD1417 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat-1 VCEsat-2 VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 TYP. MAX UNIT V 0.9 1.2 1.5 1.5 2.0 2.5 100 3.0 15000 V V V µA mA Switching times ton tstg tf Turn-on time Storage time Fall time IB1=-IB2=6mA VCCA45V ,RL=15B 0.8 3.0 2.5 µs µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1417 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance: ±0.15 mm) 3
2SD1417
物料型号: - 型号:2SD1417

器件简介: - 2SD1417是一款硅NPN功率晶体管,具有TO-220Fa封装。 - 特点包括高直流电流增益、低饱和电压,是2SB1022的互补型号,属于达林顿类型。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:漏极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):60V,开发射极 - 集电极-发射极电压(VCEO):60V,开基极 - 发射极-基极电压(VEBO):5V,开集电极 - 集电极电流(Ic):7A - 基极电流(Ib):0.2A - 集电极功耗(Pc):30W,Tc=25°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C

功能详解: - 该晶体管的主要特性包括集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益等。 - 直流电流增益(hFE)在不同集电极电流下有不同的典型值,分别为2000至15000和1000。

应用信息: - 适用于功率放大和开关应用,如锤击驱动、脉冲电机驱动等。

封装信息: - 封装类型为TO-220Fa,文档中提供了简化外形图和符号。
2SD1417 价格&库存

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