2SD1563A

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SD1563A - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

数据手册：

下载2SD1563A.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2SD1563A 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB1086A ·Wide area of safe operation ·High breakdown voltage :BVCEO=160V(min) APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base 2SD1563A Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25 PC Collector power dissipation Ta=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 1.2 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 160 160 5 1.5 3.0 10 W UNIT V V V A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER CONDITIONS MIN 2SD1563A SYMBOL TYP. MAX UNIT V(BR)CEO V(BR)EBO V(BR)CBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT COB Collector-emitter breakdown voltage IC=1mA ;IB=0 IE=50µA ;IC=0 IC=50µA ;IE=0 IC=1.0A ;IB=0.1A IC=1.0A ;IB=0.1A VCB=120V; IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=0.1A ; VCE=5V IC=0.1A ; VCE=5V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz 160 V Emitter-base breakdown voltage 5 V Collector-base breakdown voltage 160 V Collector-emitter saturation voltage 2.0 V Base-emitter saturation voltage 1.5 V Collector cut-off current 1.0 µA Emitter cut-off current 1.0 µA DC current gain 56 270 Transition frequency 80 MHz Output capacitance 20 pF hFE Classifications N 56-120 P 82-180 Q 120-270 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1563A Fig.2 Outline dimensions 3

下载 PDF

2SD1563A

1. 物料型号： - 型号：2SD1563A

2. 器件简介： - 2SD1563A是一款硅NPN功率晶体管，采用TO-126封装。 - 与2SB1086A型号互补。 - 具有较大的安全工作区域和高击穿电压。

3. 引脚分配： - PIN 1: Emitter（发射极） - PIN 2: Collector; connected to mounting base（集电极；连接到安装底座） - PIN 3: Base（基极）

4. 参数特性： - 集-基电压（VCBO）：160V - 集-射电压（VCEO）：160V - 发-基电压（VEBO）：5V - 集电极电流（Ic）：1.5A - 集电极峰值电流（ICM）：3.0A - 集电极功耗（Pc）：10W（Tc=25°C时） - 环境温度（Ta）：25°C时为1.2W - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C

5. 功能详解： - 适用于低频功率放大应用。 - 击穿电压（V(BR)CEO）：160V - 发射极基极击穿电压（V(BR)EBO）：5V - 集基击穿电压（V(BRCBO）：160V - 饱和电压（VCEsat）：2.0V - 发射极基极饱和电压（VBEsat）：1.5V - 集电极截止电流（ICBO）：1.0A - 发射极截止电流（IEBO）：1.0A - 直流电流增益（hFE）：56至270 - 转换频率（fT）：80MHz - 输出电容（COB）：20pF

6. 应用信息： - 适用于低频功率放大应用。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-126 - 提供了简化外形图和符号（Fig.1）以及外形尺寸图（Fig.2）。

2SD1563A 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2SD1563A”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2SD1563A

相关技术文章