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2SD1585

2SD1585

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1585 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD1585 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1585 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·VCEO 60V;VEBO 7V;IC(DC) 3.0A ·Complement to type 2SB1094 APPLICATIONS ·For use in audio frequency power amplifier and general purpose applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PARAMETER Collector-base voltage Collector -emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Ta=25 PC Collector power dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 15 150 -55~150 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 60 60 7 3 5 0.6 2.0 W UNIT V V V A A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=30mA; IB=0 IC=2A; IB=0.2A IC=2A ;IB=0.2A VCB=60V; IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=50mA ; VCE=5V IC=0.5A ; VCE=5V IC=0.1A; VCE=5V f=1MHz ; VCB=10V 20 40 MIN 60 2SD1585 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB TYP. MAX UNIT V 1.5 2.0 10 10 V V µA µA 200 16 48 MHz pF hFE-2 Classifications M 40-80 L 60-120 K 100-200 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1585 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance: ±0.15 mm) 3
2SD1585
物料型号: - 型号:2SD1585

器件简介: - 2SD1585是一款硅NPN功率晶体管,采用TO-220Fa封装。其主要参数包括:$V_{CEO} \geq 60V$,$V_{EB0} \geq 7V$,$I_{C(DC)} \leq 3.0A$。它是2SB1094型号的补充。

引脚分配: - PIN 1: Base(基极) - PIN 2: Collector(集电极) - PIN 3: Emitter(发射极)

参数特性: - 绝对最大额定值: - $V_{CBO}$:60V(开路发射极) - $V_{CEO}$:60V(开路基极) - $V_{EB0}$:7V(开路集电极) - $I_c$:3A(集电极电流) - $I_{cM}$:5A(集电极峰值电流) - $I_s$:0.6A(基极电流) - $P_c$:2.0W(集电极功耗,$Ta=25°C$) - $T_c=25°C$:15W - $T_j$:150°C(结温) - $T_{stg}$:-55°C至150°C(存储温度)

功能详解: - 2SD1585适用于音频频率功率放大器和一般用途的应用。其特性包括: - $V(BR)CEO$:60V(集电极-发射极击穿电压,$Ic=30mA;Ib=0$) - $V_{CEsat}$:1.5V(集电极-发射极饱和电压,$Ic=2A;Ib=0.2A$) - $V_{BEsat}$:2.0V(基极-发射极饱和电压,$Ic=2A;Ib=0.2A$) - $I_{CBO}$:10μA(集电极截止电流,$V_{CS}=60V;I_E=0$) - $I_{EBO}$:10μA(发射极截止电流,$V_{EB}=7V;I_C=0$) - $h_{FE-1}$:20(直流电流增益,$Ic=50mA;V_{CE}=5V$) - $h_{FE-2}$:40至200(直流电流增益,$Ic=0.5A;V_{CE}=5V$) - $f_T$:16MHz(过渡频率,$Ic=0.1A;V_{CE}=5V$) - $C_{oB}$:48pF(集电极输出电容,$f=1MHz;V_{CB}=10V$)

应用信息: - 2SD1585适用于音频频率功率放大器和一般用途。

封装信息: - 封装类型:TO-220Fa - 封装尺寸图见文档中的Fig.2,未标注的公差为±0.15mm。
2SD1585 价格&库存

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