2SD1652

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SD1652 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1652 DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·Built-in damper diode ·High breakdown voltage ·High speed switching APPLICATIONS ·For color TV horizontal deflection output applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT Tc=25 SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 800 6 6 16 60 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER CONDITIONS MIN 2SD1652 SYMBOL TYP. MAX UNIT V(BR)EBO V(BR)CEO V(BR)CBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT Emitter-base breakdown voltage IE=200mA , IC=0 IC=0.1A; RBE=< IC=5mA; IE=0 IC=5A ;IB=1A IC=5A ;IB=1A VCB=800V; IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=1A ; VCE=10V IF=6A IC=5A;IB1=1A;IB2=-2A VCC=200V;RL=40B 7 V Collector-emitter breakdown voltage 800 V Collector-base breakdown voltage 1500 V Collector-emitter saturation voltage 5.0 V Base-emitter saturation voltage 1.5 V Collector cut-off current 10 µA Emitter cut-off current 40 130 mA DC current gain 8 Transition frequency 3 MHz VF tf Diode forward voltage 2.0 V Fall time 0.4 µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1652 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3

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2SD1652

1. 物料型号：2SD1652，这是一个Silicon NPN Power Transistors（硅NPN功率晶体管）。

2. 器件简介： - 采用TO-3PML封装。 - 内置阻尼二极管。 - 高击穿电压。 - 高速开关。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：集电极（Collector）。 - 3号引脚：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 集-基电压（VCBO）：1500V。 - 集-射电压（VCEO）：800V。 - 发-基电压（VEBO）：6V。 - 集电极电流（Ic）：6A。 - 集电极峰值电流（ICM）：16A。 - 集电极功耗（Pc）：60W。 - 结温（Tj）：150℃。 - 存储温度（Tstg）：-55~150℃。

5. 功能详解： - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：7V。 - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：800V。 - 集基极击穿电压（V(BR)CBO）：1500V。 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：5.0V。 - 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：1.5V。 - 集电极截止电流（ICBO）：10A。 - 发射极截止电流（IEBO）：40~130mA。 - 直流电流增益（hFE）：8。 - 转换频率（fT）：3MHz。 - 二极管正向电压（VF）：2.0V。 - 下降时间（tf）：0.4s。

6. 应用信息： - 适用于彩色电视水平偏转输出应用。

7. 封装信息： - 图2显示了TO-3PML封装的外形尺寸，未标明的公差为±0.15mm。

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