物料型号：
- 型号为2SD1666，由SavantIC Semiconductor生产。
器件简介：
- 2SD1666是一款硅NPN功率晶体管，采用TO-220F封装，是2SB1133型号的补充。它具有高可靠性和广泛的安全工作区域，适用于低频和通用放大应用。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 绝对最大额定值：
- 集电极-基极电压（VCBO）：60V（开路发射极）
- 集电极-发射极电压（VCEO）：60V（开路基极）
- 发射极-基极电压（VEBO）：6V（开路集电极）
- 集电极电流（IC）：3A
- 集电极峰值电流（ICM）：8A
- 集电极耗散功率（PC）：根据结温（Tj）和存储温度（Tstg）而定
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度：-40~150°C
功能详解：
- 该晶体管在常温下（Tj=25°C）的特性如下：
- 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：60V
- 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：60V
- 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：6V
- 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：0.6~1.0V（在Ic=2A，Ib=0.2A时）
- 基极-发射极导通电压（VBE）：0.7~1.0V（在Ic=0.5A，Vce=5V时）
- 集电极截止电流（ICBO）：100μA（在Vcb=40V，Ie=0时）
- 发射极截止电流（IEBO）：100μA（在Veb=4V，Ic=0时）
- 直流电流增益（hFE）：70~280（分为hFE-1和hFE-2两个等级，分别对应不同的Ic和Vce条件）
- 输出电容（CoB）：60pF（在Ie=0，Vcb=10V，f=1MHz时）
- 转换频率（fT）：8MHz（在Ic=0.5A，Vce=5V时）
应用信息：
- 2SD1666适用于低频和通用放大应用。
封装信息：
- 该晶体管采用TO-220F封装，具体尺寸和外形可以参考PDF文档中的图2。
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