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2SD1668

2SD1668

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD1668 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD1668 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1135 ·Low collector saturation voltage ·Wide safe operating area APPLICATIONS ·For relay drivers,high-speed inverters, converters,and other general high-current switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION 2SD1668 Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25 PC Collector dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 30 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector MAX 60 50 6 7 12 2 W UNIT V V V A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=1mA ;RBE=9 IC=1mA ;IE=0 IE=1mA ;IC=0 IC=4A; IB=0.4A VCB=40V; IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=1A ; VCE=2V IC=5A ; VCE=2V IC=1A ; VCE=5V 70 30 MIN 50 60 6 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT 2SD1668 TYP. MAX UNIT V V V 0.4 100 100 280 V µA µA 10 MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=2.0A; IB1=-IB2=0.2A VCC=20V;RL=10C 0.20 0.90 0.30 µs µs µs hFE-1 Classifications Q 70-140 R 100-200 S 140-280 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1668 Fig.2 Outline dimensions 3
2SD1668
物料型号: 2SD1668

器件简介: - 2SD1668是一款由SavantIC Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。 - 采用TO-220F封装。 - 作为2SB1135的补充型号。 - 具有低集电极饱和电压和广泛的安全工作区域。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 绝对最大额定值: - VCBO:60V(开路发射极) - VCEO:50V(开路基极) - VEBO:6V(开路集电极) - lc:7A(集电极电流) - ICM:12A(集电极峰值电流) - Pc:2W(集电极耗散功率在T=25°C时) - Tc=25°C时为30W - Tj:150°C(结温) - Tstg:-55~150°C(储存温度)

功能详解: - 特性参数(Tj=25°C,除非另有说明): - V(BR)CEO:50V(集电极-发射极击穿电压,Ic=1mA;RBE=) - V(BR)CBO:60V(集电极-基极击穿电压,Ic=1mAle=0) - V(BR)EBO:6V(发射极-基极击穿电压,l=1mA;lc=0) - VCEsat:0.4V(集电极-发射极饱和电压,Ic=4A;lB=0.4A) - ICBO:100uA(集电极截止电流,VcB=40V;Ie=0) - IEBO:100uA(发射极截止电流,VEB=4V;Ic=0) - hFE-1:70~280(直流电流增益,Ic=1A; VcE=2V) - hFE-2:30~(直流电流增益,Ic=5A;VcE=2V) - fr:10MHz(过渡频率,Ic=1A;VcE=5V) - 开关时间参数: - ton:0.20us(开通时间) - ts:0.90us(存储时间,Ic=2.0A; IB1=-lB2=0.2A Vcc=20V;RL=10Ω) - t:0.30us(下降时间)

应用信息: - 适用于继电器驱动器、高速逆变器、转换器和其他一般高电流开关应用。

封装信息: - TO-220F封装。
2SD1668 价格&库存

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