2SD1669

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SD1669 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1136 ·Low collector saturation voltage ·Wide safe operating area APPLICATIONS ·For relay drivers,high-speed inverters, converters,and other general high-current switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION 2SD1669 Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25 PC Collector dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 30 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 60 50 6 12 15 2 W UNIT V V V A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=1mA ;RBE=8 IC=1mA ;IE=0 IE=1mA ;IC=0 IC=6A ;IB=0.6A VCB=40V ;IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=1A ; VCE=2V IC=5A ; VCE=2V IC=1A ; VCE=5V 70 30 MIN 50 60 6 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT 2SD1669 TYP. MAX UNIT V V V 0.4 100 100 280 V µA µA 10 MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=2.0A;IB1=-IB2=0.2A VCC=20V;RL=4B 0.10 1.20 0.05 µs µs µs hFE-1 Classifications Q 70-140 R 100-200 S 140-280 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1669 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SD1669

1. 物料型号：2SD1669，是Silicon NPN Power Transistors，即硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 采用TO-220F封装。 - 是2SB1136的补充型号。 - 具有低集电极饱和电压。 - 拥有广泛的安全工作区。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：集电极（Collector）。 - 3号引脚：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：60V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：50V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：6V。 - 集电极电流（Ic）：12A。 - 集电极峰值电流（ICM）：15A。 - 集电极耗散功率（Pc）：2W（Tc=25°C时）/30W（Tc=25°C时）。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。

5. 功能详解： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：50V。 - 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：60V。 - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：6V。 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：0.4V。 - 集电极截止电流（ICBO）：100μA。 - 发射极截止电流（IEBO）：100μA。 - 直流电流增益（hFE）： - 在IC=1A，VCE=2V时，最小70，典型280。 - 在IC=5A，VCE=2V时，最小30。 - 转换频率（fT）：10MHz。 - 开启时间（ton）：0.10μs。 - 存储时间（ts）：1.20μs。 - 下降时间（tf）：0.05μs。

6. 应用信息： - 适用于继电器驱动器、高速逆变器、转换器和其他一般高电流开关应用。

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