2SD1677

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SD1677 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1677 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High breakdown voltage ·High reliability ·Fast speed APPLICATIONS ·For TV horizontal output applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Ta=25 PC Collector power dissipation TC=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 100 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 800 6 5 2.5 W UNIT V V V A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain CONDITIONS IC=100mA; IB=0 IE=1mA; IC=0 IC=4.5A ;IB=2A IC=4.5A ;IB=2A VCB=800V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.5A ; VCE=5V 8 MIN 800 6 2SD1677 SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE TYP. MAX UNIT V V 5.0 1.5 10 10 V V µA µA 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1677 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SD1677

1. 物料型号： - 型号为2SD1677。

2. 器件简介： - 2SD1677是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-3PN封装、高击穿电压、高可靠性和快速开关速度。

3. 引脚分配： - PIN 1: Base（基极） - PIN 2: Collector; connected to mounting base（集电极；连接到安装基座） - PIN 3: Emitter（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：1500V，开路发射极 - VCEO（集电极-发射极电压）：800V，开路基极 - VEBO（发射极-基极电压）：6V，开路集电极 - Ic（集电极电流）：5A - Pc（集电极功耗）：2.5W，T=25°C时；100W，Tc=25°C时 - Tj（结温）：150°C - Tstg（储存温度）：-55°C至150°C

5. 功能详解： - 适用于电视水平输出应用。 - 特性（Tj=25°C，除非另有说明）： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：Ic=100mA;Ib=0时为800V - V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：Ic=1mA;Ic=0时为6V - VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：Ic=4.5A;Ib=2A时为5.0V - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：Ic=4.5A;Ib=2A时为1.5V - IcBO（集电极截止电流）：VcB=800V;Ie=0时为10A - IEBO（发射极截止电流）：VEB=5V;Ic=0时为10A - hFE（直流电流增益）：Ic=0.5A;VcE=5V时为8

6. 应用信息： - 适用于电视水平输出应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3PN，具体尺寸见图2（未提供具体尺寸数值，仅提供了图示链接）。

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