2SD1712

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SD1712 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

数据手册：

下载2SD1712.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2SD1712 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1712 DESCRIPTION ·With TO-3PFa package ·Complement to type 2SB1157 ·High transition frequency fT ·Satisfactory linearity of hFE ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For high power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25 PC Collector power dissipation Ta=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 3 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 100 100 5 5 8 60 W UNIT V V V A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=3A ;IB=0.3A IC=3A ; VCE=5V VCB=100V; IE=0 VEB=3V; IC=0 IC=20mA ; VCE=5V IC=1A ; VCE=5V IC=3A ; VCE=5V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IC=0.5A ; VCE=5V 20 60 20 MIN 2SD1712 SYMBOL VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE -2 hFE -3 COB fT TYP. MAX 2.0 1.8 50 50 UNIT V V µA µA 200 70 20 pF MHz hFE-2 classifications Q 60-120 S 80-60 P 100-200 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD1712 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) 3

下载 PDF

2SD1712

1. 物料型号：2SD1712，这是一种硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 采用TO-3PFa封装。 - 与2SB1157型号互补。 - 高转换频率fT。 - hFE的线性度令人满意。 - 安全操作区域广泛。 - 适用于高功率放大器应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：集电极（Collector）。 - 3号引脚：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：100V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：100V，开路基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：5V，开路集电极。 - 集电极电流（IC）：5A。 - 集电极峰值电流（ICP）：8A。 - 存储温度（Tstg）：-55~150°C。 - 工作结温（Tj）：150°C。

5. 功能详解： - 饱和电压（VCEsat）：Ic=3A; Ib=0.3A时，最大值为2.0V。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：Ic=3A; VcE=5V时，最大值为1.8V。 - 集电极截止电流（IcBO）：Vcs=100V; IE=0时，最大值为50A。 - 发射极截止电流（IEBO）：VEB=3V; Ic=0时，最大值为50uA。 - 直流电流增益（hFE）：在不同集电极电流下有不同的典型值，分别为20mA时20，1A时60，3A时20。 - 输出电容（COB）：IE=0; VcB=10V; f=1MHz时，最大值为70pF。 - 转换频率（fr）：Ic=0.5A; VcE=5V时，最大值为20MHz。

6. 应用信息：适用于高功率放大器应用。

7. 封装信息：TO-3PFa封装，具体尺寸见图2（未提供具体尺寸数值，但有封装的图片链接）。

2SD1712 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2SD1712”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2SD1712

相关技术文章