物料型号：
- 型号：2SD1893
器件简介：
- 2SD1893是一种硅NPN功率晶体管，具有TO-3PFa封装。
- 特点包括高直流电流增益、低集电极饱和电压。
- 与2SB1253型号互补。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：大功率集电极（Mw. Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：130V，开路发射极。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：110V，开路基极。
- 发射极-基极电压（VEBO）：5V，开路集电极。
- 集电极电流（Ic）：6A。
- 集电极峰值电流（IcM）：10A。
- 集电极功耗（Pc）：50W，结温25°C。
- 结温（Tj）：150°C。
- 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。
功能详解：
- 该晶体管适用于功率放大，特别适合40W高保真输出应用。
- 直流电流增益（hFE）在Ic=1A, VcE=5V时为2000，在Ic=5A, VcE=5V时为5000至30000。
- 过渡频率（fr）在Ic=0.5A, VcE=10V, f=1MHz时为20MHz。
- 开启时间（ton）、存储时间（ts）和下降时间（tr）分别为1.4s、4.5s和0.8us。
应用信息：
- 适用于功率放大和40W高保真输出应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-3PFa，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.30mm。
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