物料型号：
- 型号为2SD198。
器件简介：
- 2SD198是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-3封装，高击穿电压。
引脚分配：
- 引脚1：基极（Base）
- 引脚2：发射极（Emitter）
- 引脚3：集电极（Collector）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：300V，开发射极。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：300V，开基极。
- 发射极-基极电压（VEBO）：6V，开集电极。
- 集电极电流（IC）：1A。
- 集电极功耗（PC）：25W，环境温度25°C。
- 结温（Tj）：165°C。
- 存储温度：-55°C至200°C。
功能详解：
- 2SD198适用于电压调节器、逆变器和开关模式电源等应用。
- 维持电压（VCEO(SUS)）：300V，集电极-发射极电压，集电极电流100mA，基极电流0。
- 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：6V，发射极电流1mA，集电极电流0。
- 饱和压降（VCEsat）：1.0V，集电极电流1.0A，基极电流0.1A。
- 基极-发射极饱和压降（VBEsat）：1.5V，集电极电流1.0A，基极电流0.1A。
- 集电极截止电流（ICBO）：0.1mA，集电极-基极电压300V，发射极电流0。
- 发射极截止电流（IEBO）：0.1mA，发射极-基极电压6V，集电极电流0。
- 直流电流增益（hFE）：30至300，集电极电流0.1A，集电极-发射极电压5V。
- 过渡频率（fT）：25MHz，集电极电流0.5A，集电极-发射极电压10V。
应用信息：
- 2SD198可用于电压调节、逆变以及开关电源等。
封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.1mm。
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