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2SD2014

2SD2014

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD2014 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD2014 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2014 DESCRIPTION ·With TO-220F package ·DARLINGTON ·Complement to type 2SB1257 APPLICATIONS ·Driver for solenoid,relay and motor, series regulator,and general purpose applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 120 80 6 4 0.5 25 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=10mA ;IB=0 IC=3A ;IB=3mA IC=3A ;IB=3mA VCB=120V; IE=0 VEB=6V; IC=0 IC=3A ; VCE=2V IE=-0.1A ; VCE=12V f=1MHz;VCB=10V 2000 MIN 80 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT COB 2SD2014 TYP. MAX UNIT V 1.5 2.0 10 10 V V µA mA 75 45 MHz pF Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=3.0A; IB1=-IB2=10mA VCC=30V ,RL=10C 1.0 4.0 1.5 µs µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD2014 Fig.2 Outline dimensions 3
2SD2014
物料型号: - 型号:2SD2014

器件简介: - 2SD2014是一种达林顿硅NPN功率晶体管,采用TO-220F封装,是2SB1257的互补型号。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):120V,开射极 - 集-射电压(VCEO):80V,开基极 - 发-基电压(VEBO):6V,开集电极 - 集电极电流(Ic):4A - 基极电流(1s):0.5A - 集电极耗散功率(Pc):25W,Tc=25°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C

功能详解: - 该晶体管的主要特性包括集-射击穿电压、集-射饱和电压、基-射饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、转换频率和集电极输出电容等。 - 直流电流增益(hFE):在Ic=3A和VcE=2V条件下,最小值为2000。 - 转换频率(fr):在Ic=-0.1A和VcE=12V条件下,最大值为75MHz。 - 集电极输出电容(CoB):在f=1MHz和VcB=10V条件下,最大值为45pF。

应用信息: - 2SD2014适用于螺线管、继电器和电机的驱动,系列调节器和通用应用。

封装信息: - 封装类型:TO-220F。 - 提供了简化外形图和符号,以及外形尺寸图。
2SD2014 价格&库存

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