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2SD2061

2SD2061

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD2061 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD2061 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2061 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·Excellent DC current gain characteristics ·Wide safe operating area APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-Peak TC=25 PC Collector power dissipation Ta=25 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 2 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 80 60 5 3 6 30 W UNIT V V V A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2061 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Output capacitance CONDITIONS IC=1mA , IB=0 IC=50µA , IE=0 IE=50µA , IC=0 IC=2A; IB=0.2A IC=2A ;IB=0.2A VCB=60V IE=0 VEB=4V; IC=0 IC=0.5A ; VCE=5V IC=0.5A ; VCE=5V;f=5MHz IE=0 ; VCB=10V ,f=1MHz 100 8 70 MIN 60 80 5 1.0 1.5 10 10 320 MHz pF TYP. MAX UNIT V V V V V µA µA SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT Cob hFE Classifications E 100-200 F 160-320 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD2061 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3
2SD2061
物料型号: - 型号:2SD2061

器件简介: - 该晶体管采用TO-220Fa封装。 - 具有低集电极饱和电压。 - 出色的直流电流增益特性。 - 宽广的安全工作区域。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):80V(开路发射极) - 集电极-发射极电压(VCEO):60V(开路基极) - 发射极-基极电压(VEBO):5V(开路集电极) - 集电极电流(IC):3A(直流) - 集电极峰值电流(ICM):6A - 工作温度(Ta):30°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55~150°C

功能详解: - 该晶体管的主要特性包括集电极-发射极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益(hFE)、转换频率(fr)和输出电容(Cab)。

应用信息: - 适用于低频功率放大应用。

封装信息: - 提供了TO-220Fa封装的外形尺寸图,未标注的公差为±0.15mm。
2SD2061 价格&库存

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