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2SD2082

2SD2082

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD2082 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD2082 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2082 DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·DARLINGTON ·Complement to type 2SB1382 APPLICATIONS ·Driver for Solenoid, Motor and General Purpose PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 120 120 6 16 26 1 75 150 -55~150 UNIT V V V A A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2082 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter cut-off current Collector cut-off current DC current gain Transition frequency Output capacitance CONDITIONS IC=8A;IB=16m A IC=8A;IB=16m A IC=10mA;IB=0 VEB=6V; IC=0 VCB=120V; IE=0 IC=8 A ; VCE=4V IC=1 A ; VCE=12V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz 2000 20 210 MHz pF 120 10 10 MIN TYP. MAX 1.5 2.5 UNIT V V V mA µA SYMBOL VCEsat VBEsat V(BR)CEO IEBO ICBO hFE fT COB Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=8A ;IB1=-IB2=16mA VCC=40V ,RL=5C 0.6 7.0 1.5 µs µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD2082 Fig.2 Outline dimensions 3
2SD2082
1. 物料型号:2SD2082,由SavantIC Semiconductor生产,是一款硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介:该器件采用TO-3PML封装,是达林顿配置,与2SB1382型号互补,适用于电磁阀、电机驱动和一般用途。

3. 引脚分配:共有三个引脚,1号引脚为基极(Base),2号引脚为集电极(Collector),3号引脚为发射极(Emitter)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值:集-基电压(VCBO)120V,集-射电压(VCEO)120V,射-基电压(VEBO)6V,集电极电流(IC)16A,集电极峰值电流(ICM)26A,基极电流(IB)1A,集电极功耗(PC)75W,结温(Tj)150°C。 - 特性参数:包括饱和压降(VCEsat)、饱和基-射压降(VBEsat)、集-射击穿电压(V(BR)CEO)、发射极截止电流(IEBO)、集电极截止电流(ICBO)、直流电流增益(hFE)、频率(fr)、输出电容(COB)和开关时间(ton、ts、toff)。

5. 功能详解:2SD2082是一款用于驱动电磁阀、电机等的功率晶体管,具有高电流增益和较低的饱和压降,适用于需要高功率和高速度开关的应用。

6. 应用信息:适用于电磁阀、电机驱动和一般用途。

7. 封装信息:采用TO-3PML封装,具体尺寸和外形图在文档中有详细描述。
2SD2082 价格&库存

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