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2SD2155

2SD2155

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD2155 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD2155 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2155 DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SB1429 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 180 180 5 15 1.5 150 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=50mA ;IB=0 IC=8A ;IB=0.8A IC=6A ; VCE=5V VCB=180V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=6A ; VCE=5V IC=1A ; VCE=5V IC=0; f=1MHz;VCB=10V 55 30 MIN 180 2SD2155 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB TYP. MAX UNIT V 2.0 1.5 5 5 160 V V µA µA 10 160 MHz pF hFE-1 classifications R 55-110 O 80-160 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD2155 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.50 mm) 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2155 4
2SD2155
1. 物料型号: - 型号:2SD2155 - 制造商:SavantIC Semiconductor

2. 器件简介: - 该晶体管是硅NPN功率晶体管,采用TO-3PL封装,是2SB1429型号的补充。 - 应用于功率放大,推荐用于100W高保真音频频率放大器的输出阶段。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):180V,开发射极 - 集电极-发射极电压(VCEO):180V,开基极 - 发射极-基极电压(VEBO):5V,开集电极 - 集电极电流(Ic):15A - 基极电流(IB):1.5A - 集电极功率耗散(Pc):150W,Tc=25°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C

5. 功能详解: - 包括击穿电压、饱和电压、基极-发射极电压、截止电流、直流电流增益、转换频率和集电极输出电容等参数的详细说明。

6. 应用信息: - 适用于功率放大应用,特别推荐用于100W高保真音频频率放大器的输出阶段。

7. 封装信息: - 提供了TO-3PL封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.50mm。
2SD2155 价格&库存

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