2SD2241

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SD2241 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2241 DESCRIPTION ·With TO-220F package ·High DC current gain : hFE=2000 (Min) ·Low saturation voltage ·Complement to type 2SB1481 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·With switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Ta=25 Collector dissipation TC=25 Junction temperature Storage temperature 25 150 -55~150 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 100 100 5 ±4 ±6 0.3 2.0 W UNIT V V V A A A SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Diode forward voltage CONDITIONS IC=10mA ;IB=0 IC=3A ;IB=6mA IC=3A ;IB=6mA VCB=100V ;IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1.5A ; VCE=2V IC=3A ; VCE=2V IE=1A ; IB=0 2000 1000 MIN 100 2SD2241 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 VECF TYP. MAX UNIT V 1.5 2.0 20 2.5 V V µA mA 2.0 V Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IB1=-IB2=6mA VCCA30V ,RL=10C Duty cycleD1% 0.2 1.5 0.6 µs µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD2241 Fig.2 Outline dimensions 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2241 4 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2241 5

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2SD2241

1. 物料型号：2SD2241，是SavantIC Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介： - 采用TO-220F封装。 - 高直流电流增益：hFE=2000（最小值）。 - 低饱和电压。 - 与2SB1481型号互补。 - 适用于达林顿配置。 - 适用于开关应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：集电极（Collector）。 - 3号引脚：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 集-基电压（VCBO）：100V。 - 集-射电压（VCEO）：100V。 - 发-基电压（VEBO）：5V。 - 集电极电流（Ic）：±4A。 - 集电极峰值电流（ICM）：±6A。 - 基极电流（Is）：0.3A。 - 集电极耗散功率（Pc）：2.0W（在Ta=25°C时）。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55至150°C。

5. 功能详解： - 集-射击穿电压（V(BR)CEO）：100V。 - 集-射饱和电压（VCEsat）：1.5V（在IC=3A且IB=6mA时）。 - 发-基饱和电压（VBEsat）：2.0V（在IC=3A且IB=6mA时）。 - 基极截止电流（ICBO）：20µA。 - 发射极截止电流（IEBO）：2.5mA。 - 直流电流增益（hFE-1）：2000（在IC=1.5A且VCE=2V时）。 - 直流电流增益（hFE-2）：1000（在IC=3A且VCE=2V时）。 - 发光二极管正向电压（VECF）：2.0V（在IE=1A且IB=0时）。 - 开关时间：包括开通时间0.2µs、存储时间1.5µs、关断时间0.6µs。

6. 应用信息：适用于需要高直流电流增益、低饱和电压的开关应用。

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