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2SD2488

2SD2488

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD2488 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD2488 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2488 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·Audio ,regulator and general purpose PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 200 200 5 15 1 130 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=30mA ;IB=0 IC=10A ;IB=10mA IC=10A ;IB=10mA VCB=200V IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=10A ; VCE=4V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IE=-2A ; VCE=12V 5000 MIN 200 2SD2488 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE Cob fT TYP. MAX UNIT V 2.5 3.0 100 100 30000 120 70 V V µA µA pF MHz hFE Classifications O 5000-12000 P 6500-20000 Y 15000-30000 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD2488 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2SD2488
物料型号:2SD2488

器件简介: - 2SD2488是一款由SavantIC Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。 - 具有达林顿结构和高直流电流增益。 - 适用于音频、调节器和通用领域。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底(Collector;connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集-基极电压(VCBO):200V,开路发射极 - 集-发射极电压(VCEO):200V,开路基极 - 发-基极电压(VEBO):5V - 集电极电流(Ic):15A - 基极电流(IB):1A - 集电极功耗(Pc):在25°C时为130W - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C

功能详解: - 击穿电压(V(BR)CEO):在集电极电流为30mA且基极电流为0时为200V - 饱和电压(VCEsat):在集电极电流为10A且基极电流为10mA时为2.5V - 发射极-基极饱和电压(VBEsat):在集电极电流为10A且基极电流为10mA时为3.0V - 集电极截止电流(ICBO):在集-基极电压为200V时为100µA - 发射极截止电流(IEBO):在发-基极电压为5V且集电极电流为0时为100µA - 直流电流增益(hFE):在集电极电流为10A且集-发射极电压为4V时为5000至30000 - 输出电容(Cob):在集电极电流为0且集-基极电压为10V时为120pF - 转换频率(fT):在集电极电流为-2A且集-发射极电压为12V时为70MHz

应用信息: - 音频、调节器和通用领域。

封装信息: - 封装形式为TO-3PN,具体尺寸见图2,未标明的公差为±0.1mm。
2SD2488 价格&库存

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