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2SD2494

2SD2494

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD2494 - Silicon NPN Darlington Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD2494 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·Complement to type 2SB1625 APPLICATIONS ·Audio,series regulator and general purpose applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION 2SD2494 Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol Absolute maximum ratings(Tc=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 110 110 5 6 1 60 150 -55~150 UNIT V V V A A W 1 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Darlington Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Output capacitance CONDITIONS IC=50mA; IB=0 IC=5 A;IB=5m A IC=5 A;IB=5m A VCB=110V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=5A ; VCE=4V IC=0.5A ; VCE=12V IE=0; VCB=10V;f=1MHz 5000 MIN 110 2SD2494 SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT COB TYP. MAX UNIT V 2.5 3.0 100 100 V V µA µA 60 55 MHz pF Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=5A;RL=6@ IB1=-IB2=5mA VCC=30V 0.8 6.2 1.1 µs µs µs hFE classifications O 5000-12000 P 6500-20000 Y 15000-30000 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Darlington Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD2494 Fig.2 Outline dimensions 3
2SD2494
物料型号: - 型号为2SD2494,由SavantIC Semiconductor生产,是一种硅NPN达林顿功率晶体管。

器件简介: - 该器件是带有TO-3PML封装的达林顿功率晶体管,与2SB1625型号相补充。适用于音频、系列调节器和一般用途的应用。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 绝对最大额定值: - 集-基电压(VCBO):110V - 集-射电压(VCEO):110V - 发-基电压(VEBO):5V - 集电极电流(Ic):6A - 基极电流(Is):1A - 集电极功率耗散(Pc):60W - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55至150°C - 特性参数: - 集-射击穿电压(VBR)CEO):110V - 集-射饱和电压(VcEsat):2.5V - 发-基饱和电压(VBEsat):3.0V - 集电极截止电流(ICBO):100nA - 发射极截止电流(IEBO):100nA - 直流电流增益(hFE):5000 - 转换频率(fr):60MHz - 输出电容(CoB):55pF

功能详解: - 该器件为NPN达林顿晶体管,具有高电流增益和低饱和电压,适用于需要高功率放大和开关速度的应用。

应用信息: - 主要应用于音频放大、系列调节器和一般用途。
2SD2494 价格&库存

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