1. 物料型号:2SD2553,这是一个Silicon NPN Power Transistors(硅NPN功率晶体管)。
2. 器件简介:
- 封装类型:TO-3P(H)IS。
- 特点:高电压、高速、低饱和电压、内置阻尼二极管。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)。
- 2号引脚:集电极(Collector)。
- 3号引脚:发射极(Emitter)。
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:
- VCBO(集电极-基极电压):1200V。
- VCEO(集电极-发射极电压):600V。
- VEBO(发射极-基极电压):5V。
- IC(集电极电流):8A。
- ICM(集电极峰值电流):16A。
- IB(基极电流):4A。
- PC(总功率耗散):50W。
- Tj(结温):150°C。
- Tstg(存储温度):-55~150°C。
5. 功能详解:
- 该器件适用于高分辨率显示器、彩色电视的水平偏转输出和高速开关应用。
- 特性参数包括发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益等。
6. 应用信息:
- 水平偏转输出:适用于高分辨率显示器、彩色电视。
- 高速开关应用。
7. 封装信息:
- 提供了TO-3P(H)IS封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.20mm。