2SD2553

2SD2553

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SD2553 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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2SD2553 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2553 DESCRIPTION ·With TO-3P(H)IS package ·High voltage;high speed ·Low saturation voltage ·Bult-in damper diode APPLICATIONS ·Horizontal deflection output for high resolution display,color TV ·High speed switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1200 600 5 8 16 4 50 150 -55~150 UNIT V V V A A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2553 CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Diode forward voltage Collector output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=400mA ;IB=0 IC=6A; IB=1.2A IC=6A; IB=1.2A VCB=1200V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=6A ; VCE=5V IF=8A IE=0 ; VCB=10V,f=1MHz IC=0.1A ; VCE=10V 66 8 5 1.6 155 2 0.9 MIN 5 5 1.2 1 200 28 9 2.0 V pF MHz TYP. MAX UNIT V V V mA mA SYMBOL V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 VF Cob fT Switching times : ts tf Storage time Fall time 9 0.3 12 0.7 µs µs ICP=6A;IB1=1.5A fH =15.75kHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD2553 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.20 mm) 3 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD2553 4
2SD2553
1. 物料型号:2SD2553,这是一个Silicon NPN Power Transistors(硅NPN功率晶体管)。

2. 器件简介: - 封装类型:TO-3P(H)IS。 - 特点:高电压、高速、低饱和电压、内置阻尼二极管。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base)。 - 2号引脚:集电极(Collector)。 - 3号引脚:发射极(Emitter)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - VCBO(集电极-基极电压):1200V。 - VCEO(集电极-发射极电压):600V。 - VEBO(发射极-基极电压):5V。 - IC(集电极电流):8A。 - ICM(集电极峰值电流):16A。 - IB(基极电流):4A。 - PC(总功率耗散):50W。 - Tj(结温):150°C。 - Tstg(存储温度):-55~150°C。

5. 功能详解: - 该器件适用于高分辨率显示器、彩色电视的水平偏转输出和高速开关应用。 - 特性参数包括发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益等。

6. 应用信息: - 水平偏转输出:适用于高分辨率显示器、彩色电视。 - 高速开关应用。

7. 封装信息: - 提供了TO-3P(H)IS封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.20mm。
2SD2553 价格&库存

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